Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора > Тиристорный регулятор мощности Westcode 1200 В с CE

Тиристорный регулятор мощности Westcode 1200 В с CE
Тиристорный регулятор мощности Westcode 1200 В с CE
Тиристорный регулятор мощности Westcode 1200 В с CE

Тиристорный регулятор мощности Westcode 1200 В с CE

Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Срок поставки: 30 дней
Скачать:

Базовая информация

    Модель: YZPST-R220CH12FJO

Additional Info

    производительность: 100

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 500

    Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: Shanghai

Описание продукта



Многофункциональный тиристор с быстрым переключением

YZPST-R220CH12FJO

ТИРИСТОР ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ФАЗОВОГО УПРАВЛЕНИЯ 1200 В с CE


Особенности коммутационного тиристора состоят в том, что изделие имеет всю диффузную структуру, конфигурацию затвора с усиливающимся усилением, гарантированное максимальное время выключения, высокую способность DV / DT и устройство, монтируемое под давлением.



ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ


Блокировка - выключено

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

VRRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение

VDRM = периодическое пиковое напряжение выключенного состояния

VRSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)




Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec



Примечания:

Все рейтинги указаны для Tj = 25 oC, если не указано иное.

(1) Все номинальные напряжения указаны для примененного

50 Гц / 60 Гц синусоидальная форма волны

диапазон температур от -40 до +125 оС.

(2) 10 мсек. Максимум. длительность импульса

(3) Максимальное значение для Tj = 125 oC.

(4) Минимальное значение для линейной и экспоненциальной формы волны до 80% номинального VDRM. Открытые ворота. Tj = 125 oC.

(5) неповторяющееся значение.

(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение будет в дополнение к полученному из убер-контура, содержащего конденсатор 0,2 мкФ и сопротивление 20 Ом параллельно тестируемому тристору.


Дирижирование - по состоянию

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

964

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1971

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.4

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

442x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.96

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

стробирование

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

динамический

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

25

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Монтажные поверхности гладкие, плоские и смазанные

Примечание: схему и размеры корпуса см. На чертеже корпуса на странице 3 этих технических данных.



Детальные изображения


HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-R220CH12FJO

Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1