Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора > Электроника высокой Тиристоров Мощность 3000В

Электроника высокой Тиристоров Мощность 3000В
Электроника высокой Тиристоров Мощность 3000В

Электроника высокой Тиристоров Мощность 3000В

Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Срок поставки: 30 дней
Скачать:

Базовая информация

    Модель: YZPST-N1132NC300

Additional Info

    производительность: 100

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 500

    Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: SHANGHAI

Описание продукта


Производитель электроники тиристоры Мощность 3000В

YZPST-N1132NC300




3000В ТИРИСТОРОВ особенности: Гребенчатыми усиливаясь Строб конфигурации

. Гарантированное Максимальное Время Выключения . Собранное Устройство Давления. Все Рассеянное Структурой . Высокое DV/ДТ возможности


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ


Блокировки В Выключенном Состоянии


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

3000

3000

3100

ВРРМ = повторяющееся пиковое обратное напряжение

ВДРМ = повторяющееся пиковое обратное напряжение

ВРСМ = не повторяющееся пиковое обратное напряжение (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

100 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Примечания:

Все номиналы указаны для TJ=25 ОС, если не указано иное.

(1) Все номинальные напряжения указаны для применяемых 50Гц/60zHz синусоидального сигнала на диапазон температур от -40 до +125 ОС.

(2) 10 мсек. Макс. Ширина импульса

(3) максимальное значение для TJ = 125 ОС.

(4) минимальное значение для линейной и экспоненциальной формой волны до 80% номинальной VDRM. Открыть ворота. Тј = 125 ОС.

(5) неповторяющееся значение.

(6) значение ди/ДТ устанавливается в соответствии с EIA/Стандарт НИМА РС-397, 5-2-2-6 разделе. Определенное значение в дополнение к полученной цепи резинотехнические,содержащий 0.2 Ф конденсатор и 20 ohmsresistance параллельно с thristor тестируемого.



Проведение - на государство

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

1132

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

2228

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

14.3

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.02x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.08

V

ITM = 1830 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

200

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Стробирования

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Динамические

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

400

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

ТЕРМИЧЕСКИХ И МЕХАНИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ОЦЕНОК

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

26

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Монтажные поверхности гладкой, ровной и смазаны

Примечание : в случае очертания и размеры, см. пример эскизного чертежа в разделе 3 настоящих технических данных



Детальные Изображения
Electronics manufacturer Power Thyristors 3000V PST-N1132NC300

Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1