Тиристорный регулятор мощности C712L KT55CT
$801-99 Piece/Pieces
$40≥100Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
Количество минимального заказа: | 1 Piece/Pieces |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | Shanghai |
$801-99 Piece/Pieces
$40≥100Piece/Pieces
Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
Количество минимального заказа: | 1 Piece/Pieces |
транспорт: | Ocean,Air |
Порт: | Shanghai |
Модель: YZPST-C712L
марка: YZPST
ТИРИСТОР ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ ИНВЕРТОРА И МЯСА
YZPST-C712L
Особенности:
, Вся диффузная структура
, Конфигурация центральных усилителей
, Блокирующая способность до 2100 вольт
, Гарантированное максимальное время выключения
, Высокая способность dV / dt
, Устройство под давлением
Блокировка - выключено
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
2000 |
2000 |
2100 |
V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение
V DRM = периодическое пиковое напряжение выключенного состояния
V RSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
20 mA 90 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
800 V/msec |
Ноты:
Все рейтинги указаны для Tj = 25 o C, если только
иное.
(1) Все номинальные напряжения указаны для примененного
50 Гц / 60 Гц синусоидальная форма волны
диапазон температур от -40 до + 125 o С.
(2) 10 мсек. Максимум. длительность импульса
(3) Максимальное значение для Tj = 125 o C.
(4) Минимальное значение для линейного и экспоненциального
форма волны до 80% номинального V DRM . Ворота открыты.
Tj = 125 o C.
(5) неповторяющееся значение.
(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии
со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел
5-2-2-6. Определенное значение будет в
к полученному из демпфирующей цепи,
содержащий конденсатор емкостью 0,2 мФ и 20 Ом
Сопротивление параллельно с тристором под
тестовое задание.
Дирижирование - по состоянию
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
1185 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=80oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
1700 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
18500 |
|
A
A |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.66x106 |
|
A2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.45 |
|
V |
ITM = 1000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =1 25 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
800 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
стробирование
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
100 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 120 - |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 3.0 -
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
20 |
|
V |
|
динамический
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
- |
0.7 |
ms |
ITM = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
40 |
- |
ms |
ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
|
mC |
ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; VR ³ -50 V |
СВОЙНЫЕ И МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
0.023 - |
|
oC/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
0.0075 - |
|
oC/W |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
22.2 |
26.6 |
|
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
g |
About |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.