Торговое обеспечение лучшей Тиристор с гарантией качества

    Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Срок поставки: 30 дней

Скачать:

Базовая информация

Модель: YZPST-N195CH16

Additional Info

производительность: 100

марка: YZPST

транспорт: Ocean,Air

Место происхождения: Китай

Способность поставки: 500

Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

Код ТН ВЭД: 85413000

Порт: SHANGHAI

Описание продукта



ВЫСОКИЙ МОЩНЫЙ ТИРИСТОР ДЛЯ КОНТРОЛЯ ФАЗ

YPPST-N195CH16


Лучшие тиристора 1600В, особенности:. Гребенчатыми Усилительной Конфигурации Ворота

. Гарантированное Максимальное Время Выключения . Высокое DV/ДТ возможности . Все Рассеянное Структура Давлением Собранное Устройство.

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Блокировки В Выключенном Состоянии


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1600

1600

1700

ВРРМ = повторяющееся пиковое обратное напряжение

ВДРМ = повторяющееся пиковое обратное напряжение

ВРСМ = не повторяющееся пиковое обратное напряжение (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

5 mA

50 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Примечания:

Все номиналы указаны для TJ=25 ОС, если не указано иное.

(1) Все номинальные напряжения указаны для применяемых 50Гц/60zHz синусоидального сигнала на диапазон температур от -40 до +125 ОС.

(2) 10 мсек. Макс. Ширина импульса

(3) максимальное значение для TJ = 125 ОС.

(4) минимальное значение для линейной и экспоненциальной формой волны до 80% номинальной VDRM. Открыть ворота. Тј = 125 ОС.

(5) неповторяющееся значение.

(6) значение ди/ДТ устанавливается в соответствии с EIA/Стандарт НИМА РС-397, 5-2-2-6 разделе. Определенное значение в дополнение к полученной цепи резинотехнические,содержащий 0.2 Ф конденсатор и 20 ohmsresistance параллельно с thristor тестируемого.


Проведение - на государство

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

400

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

900

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

4.3

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

96x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

250

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.09

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

250

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

125

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Стробирования

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

3

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

250

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

2.5

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Динамические

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

2.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

150

ms

ITM=300A, tp=500us, di/dt=10A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

ТЕРМИЧЕСКИХ И МЕХАНИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ОЦЕНОК

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-60

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-60

+125

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

80

174

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

5

7

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Монтажные поверхности гладкой, ровной и смазаны

Примечание : в случае очертания и размеры, см. пример эскизного чертежа в разделе 3 настоящих технических данных



Детальные изображения

Trade Assurance best thyristor with Quality Assurance YZPST-N195CH16

Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора

изображение Продукта

  • Торговое обеспечение лучшей Тиристор с гарантией качества
Письмо этому поставщику
  • *Тема:
  • *Сообщений:
    Ваше сообщение должно быть в пределах 20-8000 символов
Общайтесь с поставщика?поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта