Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора > Высокочастотный тиристор экспортируется по всему миру

Высокочастотный тиристор экспортируется по всему миру
Высокочастотный тиристор экспортируется по всему миру
Высокочастотный тиристор экспортируется по всему миру

Высокочастотный тиристор экспортируется по всему миру

Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Срок поставки: 30 дней
Скачать:

Базовая информация

    Модель: YZPST-R0929LC12A

Additional Info

    производительность: 100

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 500

    Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: SHANGHAI

Описание продукта


Экономичный и эффективный высокочастотный тиристор, экспортируемый по всему миру

YZPST-R0929LC12A


ТИРИСТОР ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ ФАЗОВОГО УПРАВЛЕНИЯ


Особенности THYRISTOR 1200V - это конфигурация с усиленными затворами . Вся диффузная структура, гарантированное максимальное время выключения . Устройство под давлением

и высокая способность dV / dt.


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ


Блокировка - выключено


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение

V DRM = периодическое пиковое напряжение выключенного состояния

V RSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec



Примечания:

Все рейтинги указаны для Tj = 25 oC, если не указано иное.

(1) Все номинальные напряжения указаны для синусоидальной формы волны 50 Гц / 60 Гц в диапазоне температур от -40 до +125 ° С.

(2) 10 мсек. Максимум. длительность импульса

(3) Максимальное значение для Tj = 125 oC.

(4) Минимальное значение для линейной и экспоненциальной формы волны до 80% номинального VDRM. Открытые ворота. Tj = 125 oC.

(5) неповторяющееся значение.

(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение будет в дополнение к полученному из убер-контура, содержащего конденсатор 0,2 мкФ и сопротивление 20 Ом параллельно тестируемому тристору.


Дирижирование - по состоянию

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

стробирование

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

динамический

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

10

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Монтажные поверхности гладкие, плоские и смазанные

Примечание: схему и размеры корпуса см. На чертеже корпуса на странице 3 этих технических данных.



Детальные изображения


YZPST-R0929LC12A HIGH POWER THYRISTOR

Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1