YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые дисковые устройства (тип капсулы)> Фазовый контроль Тиристор> Управление фазой тиристора высокой мощности
Управление фазой тиристора высокой мощности
Управление фазой тиристора высокой мощности
Управление фазой тиристора высокой мощности
Управление фазой тиристора высокой мощности
Управление фазой тиристора высокой мощности

Управление фазой тиристора высокой мощности

Получите последнюю цену
Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-KP738LT

маркаYZPST

Упаковка и доставка
Тип упаковки : 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка
Скачать :
Описание продукта

Управление фазой тиристора высокой мощности

PST-KP 738LT

KP738LT thyristor


Особенности: , Вся диффузная структура , Конфигурация линейного усилительного затвора . Блокирующая способность до 22 00 вольт

, Гарантированное максимальное время выключения . Высокая способность dV / dt . Устройство под давлением


Ведение - по состоянию

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  3200


A

Sinewave,180o conduction,Ths=85oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

45000


41500

 

A


A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

8.5x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

     400

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     100

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM


     1.30


V

ITM = 2000 A; Duty cpstcle £ 0.01%

Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt


      150


A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt


      100


A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

стробирование

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200


W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W


Peak gate current

IGM

 

15

 

A


Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units



VGT

 

 

0.30

5

4


 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM


15


V



динамический

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

    3.0

2.5

ms

ITM = 50 A; VD = 1500 V

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

     400


250

ms

ITM > 2000 A; di/dt = 10 A/ms;

VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cpstcle ³ 0.01%

Reverse recovery current

Irr

 

      200


A

ITM > 2000 A; di/dt = 10 A/ms;

VR³ -50 V


ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125


oC


Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC


Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)


0.012


 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)


0.002


 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

 8000

 35.5

10000

44.4

 

lb.

kN


Weight

W



  3.5

1.60

Lb.

Kg.


* Монтажные поверхности гладкие, плоские и смазанные

Примечание: схему и размеры корпуса см. На чертеже корпуса на странице 3 этих технических данных.


ОПИСАНИЕ И РАЗМЕРЫ

High Power Thyristor Phase Control PST-KP738LT

 High power thyristor phase control
Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить