Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Асимметричный Тиристор > Пользовательские логотипы оригинальные ключевые слова дизайна Асимметричный тиристор

Пользовательские логотипы оригинальные ключевые слова дизайна Асимметричный тиристор

Пользовательские логотипы оригинальные ключевые слова дизайна Асимметричный тиристор

Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Срок поставки: 30 дней

Базовая информация

    Модель: YZPST-KN1000A28-BSTR62186

    Тип: Внутренний полупроводник

Additional Info

    производительность: 100

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 500

    Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: Shanghai

Описание продукта

Асимметричные тиристоры

YZPST-KN1000A28-BSTR62186

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Асимметричные тиристоры Тип: KN1000A28-BSTR62186

Заметки:

Все рейтинги указаны для Tj = 25 oC, если только

в противном случае указано.

(1) Все номинальные напряжения указаны для примененных

50 Гц / 60 Гц синусоидальная волновая форма над

диапазон температур от -40 до +125 oC.

(2) 10 мсек. Максимум. ширина импульса

(3) Максимальное значение для Tj = 125 oC.

(4) Минимальное значение для линейного и экспоненциального

wavehape до 80% номинальной VDRM. Открытые ворота.

Tj = 125 oC.

(5) Неповторимое значение.

(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии с

с стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел

5-2-2-6. Определенное значение будет в добавлении

к полученному из схемы демпфера,

включающий конденсатор 0,2 мкФ и 20 Ом

сопротивление параллельно с

тестовое задание.


Состояние блокировки - выкл.

VRRM (1)

VDRM (1)

20

2800

V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение

V DRM = повторяющееся пиковое напряжение на выходе

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

100 mA

 

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Проведение - по состоянию

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

 

1000

 

A

Sinewave,180o conduction,Tsink=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

2200

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

 

20

 

 

KA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

2x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.42

 

V

ITM =2000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

-

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

700

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

стробирование

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

300

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

 

-

3.0

-

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

5

 

V

 

динамический

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

1.6

0.8

ms

ITM =500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

55

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

-

-

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Для гарантированного макс. значение, свяжитесь с фабрикой.

ТЕРМИЧЕСКИЕ И МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - case to heatsink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

0.02

0.04

 

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

19

26

 

kN

 

Weight

W

 

 

-

g

about

* Монтажные поверхности гладкие, плоские и смазанные

Примечание: для контуров и размеров корпуса см. Рисунок схемы корпуса на последней странице настоящих технических данных



Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Асимметричный Тиристор

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1