YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые дисковые устройства (тип капсулы)> Асимметричный тиристор> PSTA62166 диаметр 75 мм Асимметричный тиристор 2500V
PSTA62166 диаметр 75 мм Асимметричный тиристор 2500V
PSTA62166 диаметр 75 мм Асимметричный тиристор 2500V
PSTA62166 диаметр 75 мм Асимметричный тиристор 2500V

PSTA62166 диаметр 75 мм Асимметричный тиристор 2500V

Получите последнюю цену
Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Air
Порт:Shanghai
Атрибуты продукта

МодельYZPST-KN1000A25-BSTR62166

маркаYZPST

Описание продукта

Асимметричные тиристоры

YZPST-KN1000A25-BSTR62166

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Асимметричные тиристоры Тип: YZPST A60120

Заметки:

Все рейтинги указаны для Tj = 25 oC, если только

в противном случае указано.

(1) Все номинальные напряжения указаны для примененных

50 Гц / 60 Гц синусоидальная волновая форма над

диапазон температур от -40 до +125 oC.

(2) 10 мсек. Максимум. ширина импульса

(3) Максимальное значение для Tj = 125 oC.

(4) Минимальное значение для линейного и экспоненциального

wavehape до 80% номинальной VDRM. Открытые ворота.

Tj = 125 oC.

(5) Неповторимое значение.

(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии с

с стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел

5-2-2-6. Определенное значение будет в добавлении

к полученному из схемы демпфера,

включающий конденсатор 0,2 мкФ и 20 Ом

сопротивление параллельно с

тестовое задание.

Состояние блокировки - выкл.

VRRM (1)

VDRM (1)

20

1800

V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение

V DRM = повторяющееся пиковое напряжение на выходе


Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

100 mA

 

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Проведение - по состоянию

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

1000

A

Sinewave,180o conduction,Tsink=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

2000

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

20

KA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

2x106

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.42

V

ITM =2000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

800

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

стробирование

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

300

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3.0

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

динамический

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1.6

0.8

ms

ITM =500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

-

25

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

-

-

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Для гарантированного макс. значение, свяжитесь с фабрикой.

ТЕРМИЧЕСКИЕ И МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - case to heatsink

RQ (c-s)

-

-

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - junction to heatsink

RQ (j-s)

0.02

0.04

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

19

26

kN

Weight

W

-

g

about

* Монтажные поверхности гладкие, плоские и смазанные

Примечание: для контуров и размеров корпуса см. Рисунок схемы корпуса на последней странице настоящих технических данных

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить