YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые дисковые устройства (тип капсулы)> Асимметричный тиристор> 60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В
60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В
60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В
60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В
60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В
60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В
60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В

60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В

$601-99 Piece/Pieces

$48≥100Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа:1 Piece/Pieces
транспорт:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-A1237NC280

маркаYZPST

私域 A1237NC280 截取 视频 15 秒 1-2,8 м
私域 A1237NC280 截取 视频 15 秒 2-4,83 м
Описание продукта


Асимметричный тиристор

YZPST-A1237NC280

Компания Asymmetric Thyristor 25V прошла сертификацию системы качества ISO9001, и качество гарантировано. Подходит для ваших потребностей SCR.

Блокировка - выключено

VDRM (1)

VDSM (1)

VRRM (1)

VRSM(1)

2800

2800

30

30

V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение

V DRM = периодическое пиковое напряжение выключенного состояния

V RSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение

Ноты:

Все рейтинги указаны для Tj = 25 o C, если только

в противном случае указано.

(1) Все номинальные напряжения указаны для примененного

50 Гц / 60 Гц синусоидальная форма волны над

диапазон температур от -40 до + 125 o С.

(2) 10 мсек. Максимум. длительность импульса

(3) Максимальное значение для Tj = 125 o C.

(4) Минимальное значение для линейного и экспоненциального

форма волны до 80% номинального V DRM . Открытые ворота.

Tj = 125 o C.

(5) неповторяющееся значение.

(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии

со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел

5-2-2-6. Определенное значение будет в

к тому, что получено из демпфирующей цепи,

содержащий конденсатор 0,2 мФ и 20 Ом

Сопротивление параллельно с тристором под

тест.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

10 mA

60 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

3000 V/msec

Ведение - по состоянию

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

 

1237

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

 

2555

 

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18

 

KA

 

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.62x103

 

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.1

 

V

ITM = 2000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =125 oC

Threshold vlotage

VT0

 

1.7

 

V

 

Slope resistance

rT

 

0.21

 

 

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

2000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




стробирование

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

10

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

400

-

 

mA

mA

mA

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VRGM

 

10

 

V

динамический

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

1

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

20

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cycle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

-

-

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V

ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

24

48

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

19

26

 

kN

 

Weight

W

 

 

510

g

About




Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить