Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В
60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В
60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В
60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В

60мА Асимметричный тиристор ВРРМ 30В

Цена за штуку: USD 48 - 60 / Piece/Pieces
Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа: 1 Piece/Pieces
Срок поставки: 30 дней
Скачать:

Базовая информация

    Модель: YZPST-A1237NC280

    IT(AV): 1237A

    VTM: ≤2.7V

    VDRM / VDSM: 2800V

    IDRM: 60mA

    IRRM: 10mA

    Tjm: -40~125℃

    VRRM / VRSM: 30V

Additional Info

    производительность: 100

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 1000

    Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: SHANGHAI

Описание продукта


Асимметричный тиристор

YZPST-A1237NC280


Компания Asymmetric Thyristor 25V прошла сертификацию системы качества ISO9001, и качество гарантировано. Подходит для ваших потребностей SCR.

Блокировка - выключено

VDRM (1)

VDSM (1)

VRRM (1)

VRSM(1)

2800

2800

30

30

V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение

V DRM = периодическое пиковое напряжение выключенного состояния

V RSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение

Ноты:

Все рейтинги указаны для Tj = 25 o C, если только

иное.

(1) Все номинальные напряжения указаны для примененного

50 Гц / 60 Гц синусоидальная форма волны

диапазон температур от -40 до + 125 o С.

(2) 10 мсек. Максимум. длительность импульса

(3) Максимальное значение для Tj = 125 o C.

(4) Минимальное значение для линейного и экспоненциального

форма волны до 80% номинального V DRM . Ворота открыты.

Tj = 125 o C.

(5) неповторяющееся значение.

(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии

со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел

5-2-2-6. Определенное значение будет в

к полученному из демпфирующей цепи,

содержащий конденсатор емкостью 0,2 мФ и 20 Ом

Сопротивление параллельно с тристором под

тестовое задание.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

10 mA

60 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

3000 V/msec

Дирижирование - по состоянию

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

 

1237

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

 

2555

 

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18

 

KA

 

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.62x103

 

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.1

 

V

ITM = 2000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =125 oC

Threshold vlotage

VT0

 

1.7

 

V

 

Slope resistance

rT

 

0.21

 

 

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

2000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




стробирование

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

10

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

400

-

 

mA

mA

mA

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VRGM

 

10

 

V

динамический

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

1

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

20

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cycle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

-

-

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V

ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

24

48

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

19

26

 

kN

 

Weight

W

 

 

510

g

About




Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Асимметричный Тиристор

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1