YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль IGBT> Высокочастотная операция 1700 В всею SIC модуль
Высокочастотная операция 1700 В всею SIC модуль
Высокочастотная операция 1700 В всею SIC модуль
Высокочастотная операция 1700 В всею SIC модуль
Высокочастотная операция 1700 В всею SIC модуль
Высокочастотная операция 1700 В всею SIC модуль
Высокочастотная операция 1700 В всею SIC модуль

Высокочастотная операция 1700 В всею SIC модуль

$7905-19 Piece/Pieces

$660≥20Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-230B170F62

маркаYzpst

место происхожденияКитай

VDSmax1700V

ID Tc=25℃230A

ID Tc=100℃200A

VGSmax-10V/+25V

VGSop-5V/+20V

TJ TSTG-40℃+155℃

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Тренанка
Скачать :
SIC Module 230B170F62
Описание продукта
Модуль мощности All-SIC P/N: YZPST-230B170F62 SIC Модуль
VDS = 1700V RDS (ON) = 7,5 МОм
Приложения
Индукционный нагрев
Солнечные и ветровые инверторы
Преобразователи постоянного тока/переменного тока
Функции
Ультра низкая потеря
Высокочастотная операция
Нулевой ток обратного восстановления от диода
Нулевой ток хвоста от MOSFET
Обычно сбоя безопасная работа устройства

Простота параллеля

1700V 7.5 mΩ in one-package


Абсолютные максимальные значения (T C. = 25 ℃ , если не указано иное)

Parameter
Symbol Conditions Value Unit
Drain-source voltage VDSmax 1700 V
VGS=20V, Tc=25℃ 230
Continuous collector current ID VGS=20V, Tc=100 200 A
Gate- source voltage VGSmax Absolute maximum values -10V/+25V V
Gate-source voltage VGSop Recommended operational values -5V/+20V V
Operating Junction and Storage Temperature TJ TSTG -40~+155

Электрический Характеристики (T c = 25, если не указано иное)

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Gate threshold voltage VGSth ID =108mA 2 2.6 4 V
Zero gate voltage drain current IDSS VDS=1700V,VGS=0V 6 600 uA
Gate-source leakage current IGSS VGS=20 V 1500 nA
VGS=20V, IDS=230A 7.5 11.7 ma
On state resistance RDS(on) VGS=20V, IDS=230A,Tvj=150℃ 15 ma
Input capacitance Ciss 21.3 nF
Output capacitance Coss VGS=0V,VDS=1000V, VAC=25mV f=1MHz 0.99 nF
Reverse transfer capacitance Crss 0.04 nF
Gate-source charge QGS 324 nC
Gate-drain charge QGD VDS=1200V,VGS = +20V/-5V 150 nC
Total gate charge QG ID =300 A 1158 nC
Turn-on delay time td(on) 27 ns
ID =180A
Rise time tr VDS =1200V 32 ns
Turn-off delay time td(off) VGS = +20V/-5V 36 ns
Fall time tf RG= 2.5a 10 ns
Energy dissipation during turn-on time ID =180A
Eon VDS =1200V 1.2 mJ
VGS = +20V/-5V
RG= 2.5a
Energy dissipation during turn-off time Eoff L=200uH 2 mJ
IF=300A 1.6 1.9 V
Diode forward voltage VSD IF=300A,Tvj=150℃ 2.2 2.8 V

Характерные характеристики модуля CS (T c = 25 ℃ , если не указано иное)

Parameter Value
Symbol Conditions Min. Typ. Max. Unit
Case isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
Maximum junction temperature Tjmax 175
Operating junction temperature Tvj op -40 150
Storage temperature Tstg -40 125
Module electrodes torque Mt Recommended(M6) 3 6
Module to heatsink torque Ms Recommended(M6) 3 6 Nm
Weight of module G 300 g

Схема Диаграмма

Circuit Diagram



Размеры упаковки

Package Dimensions


Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить