Более высокая энергия 1200 В 100А IGBT модуль

Более высокая энергия 1200 В 100А IGBT модуль

Name: Модуль IGBT G100HF120D1
Uploaded: 2023-05-10T07:27:03+08:00
Description: Модуль IGBT G100HF120D1

$2950-499 Piece/Pieces

$19.5≥500Piece/Pieces

Вид оплаты:	L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:	FOB,CFR,CIF
транспорт:	Ocean,Land
Порт:	SHANGHAI

Option:

VCES:1200V
VGES:±30V
IC TC = 25°C:200A
IC TC = 100°C:100A
ICM:200A

Свяжитесь сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: YZPST-G100HF120D1

место происхождения: Китай

VCES: 1200V

VGES: ±30V

IC TC = 25°C: 200A

IC TC = 100°C: 100A

ICM: 200A

PD: 430W

Tsc: > 10us

TJ: 150°C

Упаковка и доставка

Продажа единиц жилья	:	Piece/Pieces
Тип упаковки	:	1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Скачать	:

Модуль IGBT G100HF120D1



Описание продукта

1200V 100A IGBT MODULE P/N: YZPST-G100HF120D1

Функции:
1200V100A, VCE (SAT) (тип.) = 3,0 В. Низкий индуктивный дизайн
Более низкие потери и более высокая энергия
Сверхбывающая скорость переключения
Отличная бурность короткого замыкания
Общие приложения:
Вспомогательный Lnverter
Индуктивное отопление и сварка

Системы UPS

Equivalent Circuit Schematic

Абсолютные максимальные оценки IGBT

VCES	Collector to Emitter Voltage		1200	V
VGES	Continuous Gate to Emitter Voltage		±30	V
		TC = 25°C	200
IC	Continuous Collector Current	TC = 100°C	100	A
ICM	Pulse Collector Current	TJ = 150°C	200	A
PD	Maximum Power Dissipation (IGBT)	TC = 25°C,	430	W
tsc			> 10	µs
	Short Circuit Withstand Time		> 10	µs
	Maximum IGBT Junction Temperature		150	°C
TJ
TJOP
TJOP	Maximum Operating Junction Temperature Range		-40 to +150	°C
Tstg	Storage Temperature Range		-40 to +125	°C

VRRM	Repetitive Peak Reverse Voltage Preliminary Data		1200	V
		TC = 25°C	200
IF	Diode Continuous Forward Current	TC = 100°C	100	A
IFM	Diode Maximum Forward Current		200	A

Абсолютный Максимум Рейтинги свободного Диод

VRRM	Repetitive Peak Reverse Voltage Preliminary Data		1200	V
		TC = 25°C	200
IF	Diode Continuous Forward Current	TC = 100°C	100	A
IFM	Diode Maximum Forward Current		200	A

Характеристики переключения IGBT

td(on)			TJ = 25°C	30
	Turn-on Delay Time					ns


			TJ = 125°C	35
			TJ = 25°C	50
tr	Turn-on Rise Time		TJ = 125°C	55		ns
			TJ = 25°C	380
td(off)	Turn-off Delay Time		TJ = 125°C	390		ns
			TJ = 25°C	110
tf	Turn-off Fall Time		TJ = 125°C	160		ns
		VCC = 600V	TJ = 25°C	4.6
Eon	Turn-on Switching Loss	IC = 100A	TJ = 125°C	5.7		mJ
		RG = 5.6Ω	TJ = 25°C	3.1
Eoff	Turn-off Switching Loss	VGE = ±15V	TJ = 125°C	5.1		mJ
Qg	Total Gate Charge	Inductive Load	TJ = 25°C	870		nC
Rgint	Integrated gate resistor	f = 1M;	TJ = 25°C	1.9		Ω
Rgint	Integrated gate resistor	Vpp = 1V	TJ = 25°C	1.9		Ω
Cies	Input Capacitance		TJ = 25°C	8
Cies	Input Capacitance	VCE = 25V	TJ = 25°C	8
Coes	Output Capacitance	VGE = 0V	TJ = 25°C	1.35		nF
Cres	Reverse Transfer	f = 1MHz	TJ = 25°C	0.81
Cres	Capacitance		TJ = 25°C	0.81
RθJC	Thermal Resistance, Junction-to-Case (IGBT)				0.29	°C/W