Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Кремниевый Транзистор > 30V Электронная зажигалка Mosfet 80N03

30V Электронная зажигалка Mosfet 80N03
30V Электронная зажигалка Mosfet 80N03

30V Электронная зажигалка Mosfet 80N03

Цена за штуку: USD 0.23 / Piece/Pieces
Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа: 1000 Piece/Pieces
Срок поставки: 30 дней

Базовая информация

    Модель: YZPST-80N03

    Тип: Внутренний полупроводник

Additional Info

    Подробности Упаковки: 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка

    производительность: 100

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 500

    Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: Shanghai

Описание продукта

Электронная зажигалка Мосфет

YZPST-80N03


VDSS 30V

RDS(ON) 4mΩ(max.)@ VGS=10V

RDS(ON) 6mΩ(max.)@ VGS=4.5V

ID 100A

 

 

 

 

 

 

Description

DFN5X6-8L

YZPST 80N03 uses advanced Trench technology and designs to provide excellent RDS(ONwith low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.

 

Applications

Features

Lithium-Ion Secondary Batteries

Load Switch

DC-DC converters and Off-line UPS

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Low Miller Charge

Low Input / Output Leakage


  Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)                                                         

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDSS

30V

V

Gate-Source Voltage

VGSS

±20V

V

Drain Current-Continuous @ TC=25 NOTE1, 6

 

ID

100

A

Drain Current-Continuous @ TC=100 NOTE1, 6

80

A

Drain Current-Continuous @ TA=25 NOTE1

 

ID

20

A

Drain Current-Continuous @ TA=100 NOTE1

15

A

Drain Current-Pulsed NOTE 2

IDM

216

A

Avalanche Current

IAS

53.8

A

Avalanche Energy NOTE 3

EAS

144.7

mJ

Maximum Power Dissipation @ TC=25 NOTE4

 

PD

69

W

Maximum Power Dissipation @ TA=25 NOTE4

2

W

Storage Temperature Range

TSTG

-55 to 150°C

°C

Operating Junction Temperature Range

TJ

-55 to 150°C

°C

  Thermal Resistance Ratings                                                                                                                    

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Maximum Junction-to-Ambient NOTE1

RθJA

Steady State

-

-

62

°C/W

Maximum Junction-to-Case NOTE1

RθJC

Steady State

-

-

1.8

°C/W

  Electrical Characteristics(TJ=25°C unless otherwise noted)                                                              

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V , IDS=250uA

30

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=24V, VGS=0V

-

-

1

uA

Gate-Source Leakage Current

IGSS

VGS=±20V , VDS=0V

-

-

±100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VGS=VDS, IDS=250uA

1.2

-

2.5

V

 

Drain-Source On-Resistance NOTE2

 

RDS(ON)

VGS=10V , IDS=30A

-

-

4

mΩ

VGS=4.5V , IDS=20A

-

-

6

mΩ

Forward Transconductance

gfs

VDS=5V , ID=30A

-

26.5

-

S

Gate Resistance

Rg

VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

-

1.4

-

Ω

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

Ciss

 

 

VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

-

3080

-

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

-

410

-

Reverse Transfer Capacitance

Crss

-

316

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

Td(on)

 

 

VDS=15V, VGS=10V, ID=15A , RGEM=3.3Ω

-

9.6

-

 

ns

Rise Time

tr

-

20.8

-

Turn-Off Delay Time

Td(off)

-

58

-

Fall Time

tf

-

16

-

Total Gate Charge at 4.5V

Qg

 

 

VDS=15V, IDS=15A, VGS=4.5V

-

32

-

 

 

nC

Gate to Source Gate Charge

Qgs

-

9.1

-

Gate to Drain "Miller" Charge

Qgd

-

12.2

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage 2

VSD

VGS=0V, IS=1A

-

-

1.0

V

Continuous Source Current NOTE1, 5

IS

 

VG=VD=0V , Force Current

-

-

100

A

Pulsed Source Current NOTE2,5

ISM

-

-

216

A

Заметки:

1. Данные проверены на поверхности, смонтированной на 1-дюймовой плате FR-4 с 2 унциями меди.

2. Данные проверены по импульсам, ширина импульса us 300 мкс, рабочий цикл ≦ 2%

3. Данные EAS показывают Макс. рейтинг. Условия испытаний: VDD = 25 В, VGS = 10 В, L = 0,1 мГ, IAS = 53,8 А

4. Рассеиваемая мощность ограничена температурой перехода 175 ℃

5. Данные теоретически такие же, как ID и IDM, в реальных приложениях должны быть ограничены суммарным рассеиванием мощности.

6. Ток ограничения пакета - рассеивание 85 А.

Mosfet 80n03 (1)Mosfet 80n03 (2)Mosfet 80n03 (3)Mosfet 80n03 (4)


Группа Продуктов : Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Кремниевый Транзистор

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1