$0.72100-499 Piece/Pieces
$0.55≥500Piece/Pieces
| Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
| Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
| транспорт: | Ocean,Air |
| Порт: | Shanghai |
Модель: YZPST-FW26025A
марка: Yzpst
Type: Intrinsic Semiconductor
Application: Radio
Batch Number: 2010+
VCBO: -100V
VCEO: -100V
VEBO: -5V
IC: -20A
Icm: -40A
IB: -0.5A
PC: 160W
TJ: 200℃
Tstg: -65~200℃
| Продажа единиц жилья | : | Piece/Pieces |
| Тип упаковки | : | 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка коробки Caron 3. Пластическая защитная упаковка |
| Скачать | : |
|
Кремниевый PNP Darlington Power Transistor
YZPST-FW26025A
Кремниевый PNP Darlington Power Transistor
ОПИСАНИЕ
· Высокое усиление тока постоянного тока-
: hfe = 5000 (мин)@ IC = -2a
· Устойчивое напряжение с коллекционером-эмиттер
: Vceo (sus) = -100v (мин)
· Минимальные вариации лота к лотам для надежных производительности устройства и надежной работы.
ПРИЛОЖЕНИЯ
· Разработано для линейного и переключения промышленного оборудования
Абсолютные максимальные оценки (TA = 25 ℃)
|
SYMBOL |
PARAMETER |
VALUE |
UNIT |
|
VCBO |
Collector-Base Voltage |
-100 |
V |
|
VCEO |
Collector-Emitter Voltage |
-100 |
V |
|
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
-5 |
V |
|
IC |
Collector Current-Continuous |
-20 |
A |
|
ICM |
Collector Current-Peak |
-40 |
A |
|
IB |
Base Current- Continuous |
-0.5 |
A |
|
PC |
Collector Power Dissipation @TC=25℃ |
160 |
W |
|
Tj |
Junction Temperature |
200 |
℃ |
|
Tstg |
Storage Temperature Range |
-65~200 |
℃ |
Тепловые характеристики
|
SYMBOL |
PARAMETER |
MAX |
UNIT |
|
Rth j-c |
Thermal Resistance, Junction to Case |
1.09 |
℃/W |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
TC = 25 ℃, если не указано иное
|
SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN |
TYP. |
MAX |
UNIT |
|
VCEO(SUS)* |
Collector-Emitter Sustaining Voltage |
IC= -100mA, IB= 0 |
-100 |
|
|
V |
|
VCE(sat)-1* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -10A ,IB= -40mA |
|
|
-2.0 |
V |
|
VCE(sat)-2* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A ,IB= -200mA |
|
|
-3.0 |
V |
|
VBE(sat)* |
Base-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A ,IB= -200mA |
|
|
-4 |
V |
|
V BE(on)* |
Base-Emitter On Voltage |
IC= -10A ; VCE= -3V |
|
|
-2.8 |
V |
|
ICEO |
Collector Cutoff current |
VCE= -50V, IB= 0 |
|
|
-1 |
mA |
|
ICEV |
Collector Cutoff current(VBE=-1.5V) |
VCE= -100V, IB= 0 |
|
|
-0.5 |
mA |
|
VCE= -100V, IB= 0,Tc=150℃ |
-5 |
|||||
|
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= -5V; IC= 0 |
|
|
-2 |
mA |
|
hFE-1* |
DC Current Gain |
IC= -2A ; VCE= -3V |
5000 |
|
|
|
|
hFE-2* |
DC Current Gain |
IC= -10A ; VCE= -3V |
750 |
|
18000 |
|
|
hFE-3* |
DC Current Gain |
IC= -30A ; VCE= -3V |
200 |
|
|
|
*: Тест импульса: ширина импульса = 300US, рабочий цикл ≤2%
Номер Телефона : 86-514-87782298
Whatsapp: +8613805278321
Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
сайт: https://ru.yzpst.com
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Contact Now