YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые дисковые устройства (тип капсулы)> Фазовый контроль Тиристор> Типы Усилительных Центр быстрого переключения Тиристора DCR1059
Типы Усилительных Центр быстрого переключения Тиристора DCR1059
Типы Усилительных Центр быстрого переключения Тиристора DCR1059
Типы Усилительных Центр быстрого переключения Тиристора DCR1059

Типы Усилительных Центр быстрого переключения Тиристора DCR1059

Получите последнюю цену
Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-DCR1059

маркаYZPST

Описание продукта

ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ ТИРИСТОР КОНТРОЛЯ ФАЗ

YZPST-DCR1059


Все номиналы указаны для TJ=25 ОС, если не указано иное.

(1) Все номинальные напряжения указаны для применяемых 50Гц/60zHz синусоидального сигнала на диапазон температур от -40 до +125 ОС.

(2) 10 мсек. Макс. Ширина импульса

(3) максимальное значение для TJ = 125 ОС.

(4) минимальное значение для линейной и экспоненциальной формой волны до 80% номинальной VDRM. Открыть ворота. Тј = 125 ОС.

(5) неповторяющееся значение.

(6) значение ди/ДТ устанавливается в соответствии с EIA/НИМА стандартом RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение будет в адди-

ния, которые были получены от снабберной цепи, содержащий 0.2 Ф конденсатор и 20 ом сопротивление параллельно с thristor под тест.


Особенности: . Все Рассеянное Структурой . Центр Усиливаясь Строб Конфигурации . Блокирование capabilty до 2100 вольт

. Гарантированное Максимальное Время Выключения . Высокое DV/ДТ возможности . Собранный Прибор Давления



HIGH POWER THYRISTOR PHASE CONTROL

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

1080

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=80oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1700

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18000

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.6x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

-

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.45

 

V

ITM = 1000 A; Duty cPSTCle £ 0.01%; Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

800

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V


Электрические характеристики и оценки (продолжение)

Стробирования

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

-

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

-

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

350

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

-

 

V

 


Динамические

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

0.7

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

50

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

*

 

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V

* Для гарантированного Макс. стоимость, свяжитесь с фабрики.

ТЕРМИЧЕСКИХ И МЕХАНИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ОЦЕНОК

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.025

0.050

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

0.010

0.020

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

24.5

26.7

 

kN

 

Weight

W

 

 

480

g

About



* Монтажные поверхности гладкой, ровной и смазаны


ЧЕХОЛ ОЧЕРТАНИЯ И РАЗМЕРЫ

Types of High Current Fast Switching Thyristor DCR1059

 high current fast switching thyristor DCR1059
Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить