Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора > Типы Усилительных Центр быстрого переключения Тиристора DCR1059

Типы Усилительных Центр быстрого переключения Тиристора DCR1059

Типы Усилительных Центр быстрого переключения Тиристора DCR1059

Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Срок поставки: 30 дней
Скачать:

Базовая информация

    Модель: YZPST-DCR1059

Additional Info

    производительность: 500

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 200

    Сертификаты : ISO9000

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: SHANGHAI

Описание продукта

ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ ТИРИСТОР КОНТРОЛЯ ФАЗ

YZPST-DCR1059


Все номиналы указаны для TJ=25 ОС, если не указано иное.

(1) Все номинальные напряжения указаны для применяемых 50Гц/60zHz синусоидального сигнала на диапазон температур от -40 до +125 ОС.

(2) 10 мсек. Макс. Ширина импульса

(3) максимальное значение для TJ = 125 ОС.

(4) минимальное значение для линейной и экспоненциальной формой волны до 80% номинальной VDRM. Открыть ворота. Тј = 125 ОС.

(5) неповторяющееся значение.

(6) значение ди/ДТ устанавливается в соответствии с EIA/НИМА стандартом RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение будет в адди-

ния, которые были получены от снабберной цепи, содержащий 0.2 Ф конденсатор и 20 ом сопротивление параллельно с thristor под тест.


Особенности: . Все Рассеянное Структурой . Центр Усиливаясь Строб Конфигурации . Блокирование capabilty до 2100 вольт

. Гарантированное Максимальное Время Выключения . Высокое DV/ДТ возможности . Собранный Прибор Давления



HIGH POWER THYRISTOR PHASE CONTROL

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

1080

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=80oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1700

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18000

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.6x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

-

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.45

 

V

ITM = 1000 A; Duty cPSTCle £ 0.01%; Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

800

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V


Электрические характеристики и оценки (продолжение)

Стробирования

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

-

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

-

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

350

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

-

 

V

 


Динамические

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

0.7

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

50

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

*

 

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V

* Для гарантированного Макс. стоимость, свяжитесь с фабрики.

ТЕРМИЧЕСКИХ И МЕХАНИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ОЦЕНОК

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.025

0.050

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

0.010

0.020

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

24.5

26.7

 

kN

 

Weight

W

 

 

480

g

About



* Монтажные поверхности гладкой, ровной и смазаны


ЧЕХОЛ ОЧЕРТАНИЯ И РАЗМЕРЫ

Types of High Current Fast Switching Thyristor DCR1059

 high current fast switching thyristor DCR1059

Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1