YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые дисковые устройства (тип капсулы)> Сварочный диод> Сварочный диод высокой плотности ZP18000
Сварочный диод высокой плотности ZP18000
Сварочный диод высокой плотности ZP18000
Сварочный диод высокой плотности ZP18000
Сварочный диод высокой плотности ZP18000

Сварочный диод высокой плотности ZP18000

$55≥10Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа:10 Piece/Pieces
транспорт:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-ZP18000-02

маркаYZPST

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка
Описание продукта

Сварочные диоды

YZPST-ZP18000-02

Функции:

Вся диффузная структура

, Высокая плотность тока

, Очень низкое падение напряжения в состоянии

, металлический корпус с керамическим изолятором

, Сверхнизкое тепловое сопротивление

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Блокировка - выключено

1

Примечания:

Все рейтинги указаны для Tj = 25 oC, если не указано иное.

(1) Полусинус, f = 50 Гц, Tj = от -40 до + 170 ° C.

(2) Полусинус, 10 мс, Tj = от -40 до + 170 ° C.

(3) Максимальная температура соединения: Tj = 170 oC.

(4) Параметры определены ниже:

2


Дирижирование - по состоянию

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IF(AV)

18000

A

sine,180o Conduction angle,Tc =85oC

RMS value of on-state current

IF(RMS)

28200

A

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

135000

A

10.0 msec ,sine, 180o Conduction angle, Tj = 170 oC

I2t

I2t

91100000

A2s

10.0 msec, sine, Tj = 170 oC

Peak on-state voltage

VFM

1.08

0.97

V

IFM =12000 A; 25 oC IFM =5000 A; 25 oC

Threshold votage

VTO

0.74

V

Tj = 170 oC

Slope resistance

rT

0.016

mΩ

Tj = 170 oC

Reverse Recovery Current (4)

IRM(REC)

A

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Charge (4)

Qrr

mC

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Time (4)

tRR

ms

ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating junction temperature range

Tj

-40

+170

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+170

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

0.004

o

C/W

Double sided cooled

Thermal resistance - case to sink

RQ (j-c)

0.008

o

C/W

Single sided cooled

Creepage distance on the surface

DS

8

mm

Air breakdown distance

Da

8

mm

Mounting force

F

36

44

kN

Weight

W

578

g

ОПИСАНИЕ И РАЗМЕРЫ

3







Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить