YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Кремниевый транзистор> 2SC5200 NPN Транзистор, дополняющий 2SA1943 TO-3PL
2SC5200 NPN Транзистор, дополняющий 2SA1943 TO-3PL
2SC5200 NPN Транзистор, дополняющий 2SA1943 TO-3PL
2SC5200 NPN Транзистор, дополняющий 2SA1943 TO-3PL
2SC5200 NPN Транзистор, дополняющий 2SA1943 TO-3PL
2SC5200 NPN Транзистор, дополняющий 2SA1943 TO-3PL
2SC5200 NPN Транзистор, дополняющий 2SA1943 TO-3PL

2SC5200 NPN Транзистор, дополняющий 2SA1943 TO-3PL

$1.5500-999 Pair

$1.15≥1000Pair

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-2SC5200/YZPST-2SA1943

маркаYzpst

место происхожденияКитай

VCEO230V/-230V

VCBO230V/-230V

VEBO5V/-5V

Ic15A/-15A

IB1.5A/-1.5A

Ptot150W

Tj150 Tj 150 ℃

Tstg-55-150℃

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Pair
Скачать :
Транзистор 2SA1930
Описание продукта

NPN Тип транзистор 2SC5200

1.Outline

2SC5200 - это транзистор типа NPN, дополняющий 2SA1943, используемый в схемах усиления мощности аудио.
Форма упаковки: TO-3PL

2. Электрические характеристики

2.1 Ограниченные значения

 Sign

Rated Value

unit

VCEO

230

V

VCBO

230

V

VEBO

5

V

Ic

15

A

IB

1.5

A

Ptot

150

W

Tj

150

Tstg

-55- 150

TO-3PL

2.2 Электрические параметры

 

Specification value

 

 Sign

Test conditions

Min

Typical

Max

unit

ICBO

VCB= 230 V ,IE = 0

 

 

5

μA

IEBO

VEB= 5 V ,IC = 0

 

 

5

μA

VCBO

IC= 1mA

230

 

 

V

VCEO

IC= 1mA

230

 

 

V

VEBO

IB= 1mA

5

 

 

V

hFE(1)

IC= 1A,VCE= 5V

55

 

160

 

hFE(2)

IC= 7A,VCE= 5V

35

 

 

 

VCE sat

IC= 5A,IB= 0.5 A

 

 

1.5

V

VBE sat

IC= 5A,IB= 0.5A

 

 

2

V

3. Размер

NPN transistor size

NPN Type Transistor 2SA194 3

1.Outline

2SA1943 - это транзистор типа NPN, дополняющий 2SC5200, используемый в схемах усиления мощности аудио.
Форма упаковки: TO-3PL

2. Электрические характеристики

2.1 Ограниченные значения

 Sign

Rated Value

unit

VCEO

-230

V

VCBO

-230

V

VEBO

-5

V

Ic

-15

A

IB

-1.5

 

Ptot

150

W

Tj

150

Tstg

-55- 150

TO-3PL 2.2 Электрические параметры

 

Specification value

 

 Sign

Test conditions

Min

Typical

Max

unit

ICBO

VCB= -230 V

 

 

-5

μA

IEBO

VEB= -5 V

 

 

-5

μA

VCBO

IC= - 1mA

-230

 

 

V

VCEO

IC= - 1mA

-230

 

 

V

VEBO

IB= - 1mA

-5

 

 

V

hFE1

IC= - 1A,VCE= -5V

55

 

160

 

hFE2

IC= -7A,VCE= -5V

35

 

 

 

VCE sat

IC= -5A,IB= -0.5A

 

 

-1.5

V

VBE sat

IC= -5A,IB= -0.5A

 

 

-2

V

3. Размер

NPN transistor size



Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить