YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Кремниевый транзистор> TO-92 Пластиковая транзистор PNP Transistor 2N3906
TO-92 Пластиковая транзистор PNP Transistor 2N3906
TO-92 Пластиковая транзистор PNP Transistor 2N3906
TO-92 Пластиковая транзистор PNP Transistor 2N3906
TO-92 Пластиковая транзистор PNP Transistor 2N3906
TO-92 Пластиковая транзистор PNP Transistor 2N3906
TO-92 Пластиковая транзистор PNP Transistor 2N3906

TO-92 Пластиковая транзистор PNP Transistor 2N3906

$8.5100-499 Others

$6.9≥500Others

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-2N3904

место происхожденияКитай

Collector-Base Voltage60V

Collector-Emitter Voltage40V

Emitter-Base Voltage6V

Collector Current -Continuous0.2A

Collector Power Dissipation0.625W

Operation Junction And Storage Temperat-55-150℃

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : KPCS
Скачать :
Транзистор NPN 2N3904 TO92FE
Описание продукта

TO-92 Пластиковые транзисторы

YZPST-2N3904 Транзистор (NPN)

ОСОБЕННОСТЬ
NPN Силиконовый эпитаксиальный планарный транзистор для переключения и
Приложения усилителя
В качестве дополнительного типа, PNP Transistor 2N3906
рекомендуемые
Этот транзистор также доступен в случае SOT-23 с

Обозначение типа MMBT3904

YZPST-2N3904 TO92

ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА

Part Number

Package

Packing Method

Pack Quantity

2N3904

T0-92

BuIk

1000pcs/Bag

2N3904-TA

T0-92

Tape

2000pcs/Box

Максимальные оценки (TA = 25 '℃, если не указано иное)

Symbo1 Parameter Va1ue Unit
VCB0 Collector-Base Voltage 60 V
VCE0 Collector-Emitter Voltage 40 V
VEB0 Emitter-Base Voltage 6 V
C Collector Current -Continuous 0.2 A
PC Collector Power Dissipation 0.625 W
TJ,Tstg Operation Junction  and Storage Temperature Range -205 C

= 25 ℃, если не указано иное

Parameter Symbo1 Test Min Typ Max Unit
conditions
Co11ectorbase V(BR)CBO IC=10ΚA, IE=0 60 V
breakdown
vo1tage
Co11ector﹒emitter V(BR)CEO IC= 1mA , IB=0 40 V
breakdown
vo1tage
Emitter﹒base V(BR)EBO IE= 10ΚA, IC=0 6 V
breakdown
vo1tage
Co11ector cut﹒off ICBO VCB=60V, IE=0 0.1 UA
current
Co11ector ICEX VCE=30V, VEB(off)=3V 0.05 UA
cutoff
current
Emitter IEBO VEB= 5V, IC=0 0.1 UA
cut﹒off
current
FE1 VCE=1V,    IC=10mA 100 400
DC
current FE2 VCE=1V,    IC=50mA 60
gain FE3 VCE=1V,    IC=100mA 30
Co11ector﹒emitter VCE(sat) IC=50mA, IB=5mA 0.3 V
saturation
vo1tage
Base﹒emitter VBE(sat) IC=50mA, IB=5mA 0.95 V
saturation
vo1tage
Transition T VCE=20V,IC=10mA,f=100MHz 300 MHZ
frequency
De1ay td VCC=3V,VBE=0.5V, 35 ns
Time IC=10mA,IB1=1mA
Rise tr 35 ns
Time
Storage ts VCC=3V, IC=10mA 200 ns
Time IB1=IB2=1mA
Fa11 tf 50 ns
Time


Схема размеров

YZPST-2N3904 Dimensions



Symbo1 Dimensions Dimensions
n ln
Mi11imeters lnches
Min Max Min Max
A 3.3 3.7 0.13 0.146
A1 1.1 1.4 0.043 0.055
b 0.38 0.55 0.015 0.022
c 0.36 0.51 0.014 0.02
D 4.3 4.7 0.169 0.185
D1 3.43 0.135
E 4.3 4.7 0.169 0.185
e 1.270 TYP 0.050 TYP
e1 2.44 2.64 0.096 0.104
L 14.1 14.5 0.555 0.571
Κ 1.6 0.063
h 0 0.38 0 0.015

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить