YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Силиконовый контролируемый выпрямитель (SCR)> Столовый стеклянный процесс пассивации до 247 SCR 1200V
Столовый стеклянный процесс пассивации до 247 SCR 1200V
Столовый стеклянный процесс пассивации до 247 SCR 1200V
Столовый стеклянный процесс пассивации до 247 SCR 1200V
Столовый стеклянный процесс пассивации до 247 SCR 1200V
Столовый стеклянный процесс пассивации до 247 SCR 1200V

Столовый стеклянный процесс пассивации до 247 SCR 1200V

$0.751000-9999 Piece/Pieces

$0.55≥10000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-40TPS12

маркаYzpst

место происхожденияКитай

IT (RMS)40A

VDRM / VRRM1200V

IGT≤35mA

ITSM460A

IGM4A

PGM5W

PG(AV)1W

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Пластическая защитная упаковка
Пример с картинкой :
Скачать :
SCR YZPST-40TPS12
Описание продукта

SCR YZPST-40TPS12

Особенности продукта

Столовый стеклянный процесс пассивации,

Задний (анод) электрод металл: ti-ni-ag

Положительный (затвор, анод) электрод металл: al

Основные цели

Переключатель переменного тока,

AC DC Power Converter,

Управление электрическим нагревом

Управление скоростью двигателя

Упаковка

До 247

SCR

СОСТОЯНИЕ (TJ = 25 ℃)

Symbol

Value

Unit

IT (RMS)

40

A

VDRM   / VRRM

1200

V

IGT

35

mA

Абсолютный _ _ _ _ _ _

Symbol

Parameter

Value

Unit

IT (RMS)

RMS on-state current (180°conduction angle)

40

A


ITSM

 

Non repetitive surge peak on-state

Current (tp= 10ms)

460

A

IGM

Peak gate current(tp=20us)

4

A

PGM

Peak gate power

5

W

PG(AV)

Average gate power

1

W

Tstg

Tj

Storage temperature

Operating junction temperature

-40--+ 150 -40--+ 125

SCR YZPST-40TPS12

Устойчивость к термаи с

Symbol

Parameter

 

Value

Unit

 

Rth (j-c)

 

Junction to case

 

TO-247

 

0.95

 

/W

Электрические характеристики _TJ = 25 , если не указано иное

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

Min

Type

Max

IGT

VD= 12V, RL=33 Ω

----

-----

35

mA

VGT

VD= 12V, RL=33 Ω

-----

-----

1.5

V

VGD

VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK= 1KΩ,Tj=125

0.2

-----

-----

V

H

IT=500mA

-----

-----

75

mA

L

IG= 1.2IGT

-----

-----

150

mA

dV/dt

VD=67%VDRM, GateOpen,  Tj=110℃

1000

 

-----

 

-----

v/ μs

VTM

IT=80A,tp=380 μs

-----

-----

1.6

V

dI/dt

IG=2IGT

50

-----

-----

A/ μs

I2T

Tp= 10ms

-----

-----

1060

A2 S

IDRM

VD=VDRM

Tj=25℃

-----

-----

10

μA

Tj=125℃

-----

-----

4

mA

 

VRRM

VR=VRRM

Tj=25℃

-----

-----

10

μA

Tj=125℃

-----

-----

4

mA


Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить