YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Силиконовый контролируемый выпрямитель (SCR)> Высокочувствительные уровни срабатывания X0405 SCR
Высокочувствительные уровни срабатывания X0405 SCR
Высокочувствительные уровни срабатывания X0405 SCR
Высокочувствительные уровни срабатывания X0405 SCR
Высокочувствительные уровни срабатывания X0405 SCR
Высокочувствительные уровни срабатывания X0405 SCR
Высокочувствительные уровни срабатывания X0405 SCR

Высокочувствительные уровни срабатывания X0405 SCR

$0.11≥1000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа:1000 Piece/Pieces
транспорт:Ocean,Air
Порт:Shanghai
Атрибуты продукта

МодельYZPST-X0405

маркаYZPST

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка
X0405 私 域
Описание продукта


Кремниевый выпрямитель (SCR)

YZPST-X0405

ОПИСАНИЕ:

Благодаря высокочувствительным уровням срабатывания

Серия X0405 SCR подходит для всех применений

где доступный ток затвора ограничен, такой как

Прерыватели замыкания на землю, перенапряжение

защита от лома при малом энергопотреблении,

емкостные цепи зажигания, ...


ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

4.0

A

VDRM VRRM

600

V

IGT

200

µA

АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ


Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junctiontemperature range

Tstg

-40 ~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

600

V

Non repetitive surge peak Off-state voltage

VDSM

VDRM +100

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

VRRM +100

V

RMS on-state current (T =60℃)

IT(RMS)

4.0

A

Non repetitive surge peak on-state current

(180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

30

A

Average on-state current (180° conduction angle)

IT(AV)

2.5

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

4.5

A2S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2×IGT, tr 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

1.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.2

W

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Т = 25 ℃, если не указано иное)

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V =12V R =140Ω

MAX.

200

µA

VGT

MAX.

0.8

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ

MIN.

0.1

V

IL

IG=1.2IGT

MAX.

6

mA

IH

IT=50mA

MAX.

5

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open  Tj=125℃

MIN.

15

V/μs

СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

VTM

ITM =8.0A tp=380μs

Tj =25℃

1.8

V

IDRM

VD=VDRM VR=VRRM

 

Tj =25℃

5

μA

IRRM

Tj =125℃

1

mA

Тепловые сопротивления

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

Rth(j-a)

junction to  ambient

60

℃/W

Rth(j-t)

Junction to tab (DC)

20

Схема заказа информации

YZPST-X0405


Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить