Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

800V полупроводники scr electronic

800V полупроводники scr electronic

Цена за штуку: USD 0.018 - 0.022 / Piece/Pieces
Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа: 1000 Piece/Pieces
Срок поставки: 30 дней
Скачать:

Базовая информация

    Модель: YZPST-X0206

Additional Info

    Подробности Упаковки: 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка

    производительность: 10000

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: КИТАЙ

    Способность поставки: 100000

    Сертификаты : ISO9001-2015,ROHS

    Порт: SHANGHAI

Описание продукта

Scr полупроводниковое устройство

YZPST-X0206

Полупроводниковое устройство Scr 800 В сфер применения Защита от утечки, таймер и газовый воспламенитель


Scr Semiconductor Device

Scr Semiconductor Device


Максимальный рейтинг (Ta = 25 )

Parameter

Symbol

Voltage class

Unit

-6

-8

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

600

800

V

Repetitive peak off-state voltage

VDRM

600

800

V

RMS on-state current 

IT (RMS)

1.25

A

Average on-state current

IT (AV)

0.8

A

Surge on-state current  

ITSM

22.5

A

I2t for fusing    

I2t

2.5

A2s

Average gate power dissipation 

PG (AV)

0.2

W

Peak gate reverse voltage

VRGM

8

V

Peak gate forward current

IFGM

1.2

A

Junction temperature

Tj

– 40 to +125

°C

Storage temperature

Tstg

– 40 to +150

°C


Электрические характеристики

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test conditions

Repetitive peak reverse current

IRRM

-

-

0.5

mA

Tj =125°C, VRRM applied

Repetitive peak off-state current

IDRM

-

-

0.5

mA

Tj =125°C, VDRM applied, RGK = 1 kÙ

On-state voltage  

VTM

-

-

1.45

V

Ta =25°C, ITM =2.5A

Gate trigger voltage   

VGT

-

-

0.8

V

Tj =25°C, VD = 12 V, RL = 140Ù

Gate non-trigger voltage

VGD

0.1

-

-

V

Tj =125°C, VD = VDRM,RGK = 1 kÙ

Gate trigger current

IGT

20

-

200

μA

Tj =25°C, VD = 12 V, RL = 140Ù

Holding current

IH

-

-

5

mA

Tj =25°C, VD = 12 V,RGK = 1 kÙ

Thermal resistance   

Rth (j-a)

-

-

150

°C/W

Junction to ambient

Триггер текущего элемента

Item

A

B

C

D

E

F

IGT (μA)

20 to 50

40 to 80

70 to 100

20 to 80

20 to 100

100 to 200


Группа Продуктов : Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Триодный тиристор (ТРИНИСТОР)

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1