YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Силиконовый контролируемый выпрямитель (SCR)> NPN Silicon Power Transistors 13005d
NPN Silicon Power Transistors 13005d
NPN Silicon Power Transistors 13005d
NPN Silicon Power Transistors 13005d
NPN Silicon Power Transistors 13005d
NPN Silicon Power Transistors 13005d

NPN Silicon Power Transistors 13005d

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-13005D

маркаYzpst

VCBO700V

VCEO400V

VEBO9V

IC3A

Icm6A

PTOT75W

Tj150℃

Tstg-55—150℃

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка коробки Caron 3. Пластическая защитная упаковка
Скачать :
NPN Silicon Power Transistors YZPST-13005D
Описание продукта

NPN Silicon Power Transistors 13005d
● Desrpription:
13005D -это транзистор NPN, используемый в электронных балластах и ​​электронном экономии энергии. Он имеет характеристики низкой потери переключения, высокой надежности, хорошей высокой температуры, подходящей скорости переключения, высокого напряжения разбивки и низкой обратной утечки.

Silicon Power Transistors

● Абсолютный максимальный рейтинг мамы

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

700

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

400

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

9

V

IC

Continuous Collector Current

3

A

Icm

Collector Pulse CurrentTp5ms

6

A

PTOT

 

Total dissipation at Tcase=25 ℃

TO-126SD

50

W

TO-220

75

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature Range

-55150

● Электрические характеристики (TC = 25 ° C, если не указано иное)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 700 VIE=0

 

 

0.1

mA

ICEO

Base Cutoff Current

VCE= 400 VIc=0

 

 

0.1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 9 VIC=0

 

 

0.1

mA

VCBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= 0.1mA

700

 

 

V

VCEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= 0.1mA

400

 

 

V

VEBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IB= 0.1mA

9

 

 

V

hFE

DC Current Gain

IC= 0.5A,VCE= 5V

15

 

35

 

a

VCE sat

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= 2A,IB= 0.5A

 

 

1

V

a

VBE sat

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 2A,IB= 0.5A

 

 

1.5

V

ts

Storage Time

UI9600Ic=0.5A

2

 

7

us

fT

Transition Frequency

VCE=10VIC=0.2A F=1MHz

5

 

 

MHz

aPulse Testtp 300usδ≤2%

● Механические данные пакета

Silicon Power TransistorsNPN Silicon Power Transistors

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить