$2502-9 Piece/Pieces
$210≥10Piece/Pieces
| Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
| Инкотермс: | FOB,CFR,CIF |
| транспорт: | Ocean,Land,Express,Others |
| Порт: | SHANGHAI |
Модель: YZPST-KP1000A6500V
марка: Yzpst
Place Of Origin: China
VRRM: 6500V
VDRM: 6500V
IRRM: 40 mA
IDRM: 200mA
DV/dt: 1000 V/μsec
IT(AV): 1000A
ITRMS: 1650A
| Продажа единиц жилья | : | Piece/Pieces |
| Тип упаковки | : | 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа |
| Скачать | : |
|
P/N: YZPST-KP1000A/6500V
Высокая мощность thyristo r для Фаза КОНТРОЛЬ ПРИЛОЖЕНИЯ
Функции:
Полем Все Рассеянный структуру re
Полем Центр усиливающая конфигурация GA TE
Полем Гарантированно Максимальное время отключения
Полем Высокий DV/DT Способность
Полем Давление собрано Устройство _
Блокировка - Вне штата
|
VRRM ( 1) |
V DRM ( 1) |
VRSM ( 1) |
|
6500 |
6500 |
6600 |
VRRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение
VDRM = повторяющийся пик от напряжения состояния
VRSM = не повторяющееся пиковое обратное напряжение (2)
Примечания:
Все рейтинги указаны для TJ = 25 OC, если не
в противном случае указано.
(1) Все рейтинги напряжения указаны для приложенной синусоидальной формы волны 50 Гц/60zhz
Диапазон температуры от -40 до +125 oc.
(2) 10 мсек. Макс. ширина пульса
(3) Максимальное значение для TJ = 125 OC.
(4) Минимальное значение для линейного и экспоненциального
Waveshape до 80% Rated VDRM. Ворота открыты.
TJ = 125 OC.
(5) НЕПРАВИЛЬНОЕ ЗНАЧЕНИЕ.
(6) значение DI/DT установлено в
В соответствии со стандартом EIA/NIMA RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение было бы в дополнение к значению, полученному из схемы снуббера, включающего конденсатор 0,2 мкФ и сопротивление 20 Ом параллельно с Thristor
под тестированием.
|
Repetitive peak reverse leakage and off state |
IRRM / IDRM |
40 mA 200mA (3) |
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/μsec |
Проводя - на штате
| Parameter | Symbol | Min. | Max. | Typ. | Units | Conditions |
| Max. Average value of on-state current | IT(AV) | 1000 | A | Sinewave, 180o conduction TC=70 oC | ||
| RMS value of on-state current | ITRMS | 1650 | A | Nominal value | ||
| Peak one cpstcle surge | ITSM | 18 | kA | 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC | ||
| (non repetitive) current | ||||||
| I square t | I2t | 1620 | kA2s | |||
| Latching current | IL | 1500 | mA | VD = 24 V; RL= 12 ohms | ||
| Holding current | IH | 500 | mA | VD = 24 V; I = 2.5 A | ||
| Peak on-state voltage | VTM | 2.65 | V | ITM = 1000A; Tvj= 125℃ | ||
| Threshold voltage | VTo | 1.24 | V | Tvj= 125℃ | ||
| Slope resistance | rT | 1.01 | mΩ | Tvj= 125℃ | ||
| Critical rate of rise of on-state current (5, 6) | di/dt | 500 | A/μs | Switching from VDRM < 1500 V, | ||
| non-repetitive | ||||||
| Critical rate of rise of on-state current (6) | di/dt | - | A/μs | Switching from VDRM < 3500 V |
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
50 |
|
W |
tp = 40 us |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
10 |
|
W |
|
|
Peak gate current |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
400 |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
|
Gate voltage required to trigger all units |
VGT |
|
- 2.6 - |
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0- 125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
|
Peak negative voltage |
VGRM |
|
10 |
|
V |
|
Динамика
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Delay time |
td |
|
- |
|
μs |
ITM = 1000 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0. 1 μs; tp = 20 μs |
|
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
700 |
|
μs |
ITM = 1000 A; di/dt = 1A/μs; VR > 200 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cpstcle > 0.01% |
|
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
- |
|
μAs |
ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200V |
Корпус РАЗМЕРЫ .
Номер Телефона : 86-514-87782298
Whatsapp: +8613805278321
Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
сайт: https://ru.yzpst.com
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Contact Now