YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль IGBT> Низкий VCE SAT Trench IGBT Technology 450A IGBT Модуль 1700V
Низкий VCE SAT Trench IGBT Technology 450A IGBT Модуль 1700V
Низкий VCE SAT Trench IGBT Technology 450A IGBT Модуль 1700V
Низкий VCE SAT Trench IGBT Technology 450A IGBT Модуль 1700V
Низкий VCE SAT Trench IGBT Technology 450A IGBT Модуль 1700V
Низкий VCE SAT Trench IGBT Technology 450A IGBT Модуль 1700V
Низкий VCE SAT Trench IGBT Technology 450A IGBT Модуль 1700V
Низкий VCE SAT Trench IGBT Technology 450A IGBT Модуль 1700V

Низкий VCE SAT Trench IGBT Technology 450A IGBT Модуль 1700V

$1605-49 Piece/Pieces

$120≥50Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Express,Others
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-GD450HFX170C6S

маркаYzpst

место происхожденияКитай

VCES1700V

VGES±20V

ICM900A

PD2542W

VRRM1700V

IF450A

IFM900A

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Пример с картинкой :
Скачать :
Модуль IGBT GD450HFX170C6S
Описание продукта

Модуль IGBT


YZPST-450HFX170C6S
1700V/450A 2 в однопакете
Общее описание


Модуль мощности IGBT обеспечивает Ultra

Низкая потери проводимости, а также прочность коротких замыканий.

Они предназначены для приложений, таких как

Общие инверторы и взлеты.

Функции
Траншевая технология с низким уровнем VCE (SAT)
Возможность короткого замыкания 10 мкм
VCE (SAT) с положительным коэффициентом температуры
Максимальная температура соединения 175oc
Низкая индуктивность
Fast & Soft Reverse Recovery Anti-Parallel FWD
Изолированная медная базовая плита с использованием технологии DBC
Типичный Приложения

Инвертор для моторного привода

Усилитель сервопривода AC и DC DC

Бесперебойный источник питания


Igbt

Symbol

Description

Value

Unit

VCES

Collector-Emitter Voltage

1700

V

VGES

Gate-Emitter Voltage

±20

V

IC

Collector Current  @ TC=25oC

@ TC= 100oC

706

450

A

ICM

Pulsed Collector Current  tp=1ms

900

A

PD

Maximum Power Dissipation  @ T =175oC

2542

W

Диод


Symbol

Description

Value

Unit

VRRM

Repetitive Peak Reverse Voltage

1700

V

IF

Diode Continuous Forward Current

450

A

IFM

Diode Maximum Forward Current  tp=1ms

900

A

Модуль

Symbol

Description

Value

Unit

Tjmax

Maximum Junction Temperature

175

oC

Tjop

Operating Junction Temperature

-40 to +150

oC

TSTG

Storage Temperature Range

-40 to +125

oC

VISO

Isolation Voltage  RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Igbt Характеристики TC = 25oC, если не указано иное

Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC 1.85 2.2
VCE(sat) Collector to Emitter IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC 2.25 V
Saturation Voltage IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC 2.35
VGE(th) Gate-Emitter Threshold Voltage IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC 5.6 6.2 6.8 V
ICES Collector Cut-Off VCE=VCES,VGE=0V, 5 mA
Current Tj=25oC
IGES Gate-Emitter Leakage Current VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC 400 nA
RGint Internal Gate Resistance 1.67 Ω
Cies Input Capacitance VCE=25V,f=1MHz, 54.2 nF
Cres Reverse Transfer VGE=0V 1.32 nF
Capacitance
QG Gate Charge VGE=- 15…+15V 4.24 μC
td(on) Turn-On Delay Time 179 ns
tr Rise Time 105 ns
td(off) Turn-Off Delay Time VCC=900V,IC=450A,  RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC 680 ns
tf Fall Time 375 ns
Eon Turn-On Switching 116 mJ
Loss
Eoff Turn-Off Switching 113 mJ
Loss
td(on) Turn-On Delay Time 208 ns
tr Rise Time 120 ns
td(off) Turn-Off Delay Time VCC=900V,IC=450A,  RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC 784 ns
tf Fall Time 613 ns
Eon Turn-On Switching 152 mJ
Loss
Eoff Turn-Off Switching 171 mJ
Loss
td(on) Turn-On Delay Time 208 ns
tr Rise Time 120 ns
td(off) Turn-Off Delay Time VCC=900V,IC=450A,  RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC 800 ns
tf Fall Time 720 ns
Eon Turn-On Switching 167 mJ
Loss
Eoff Turn-Off Switching 179 mJ
Loss
tP≤10μs,VGE=15V,
ISC SC Data Tj=150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V 1800 A
Диод Характеристики TC = 25oC, если не указано иное
Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
Diode Forward IF=450A,VGE=0V,Tj=25oC 1.8 2.25
VF Voltage IF=450A,VGE=0V,Tj= 125oC 1.95 V
IF=450A,VGE=0V,Tj= 150oC 1.9
Qr Recovered Charge VR=900V,IF=450A, 105 μC
IRM Peak Reverse -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC 198 A
Recovery Current
Erec Reverse Recovery Energy 69 mJ
Qr Recovered Charge VR=900V,IF=450A, 187 μC
IRM Peak Reverse -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15V Tj= 125oC 578 A
Recovery Current
Erec Reverse Recovery Energy 129 mJ
Qr Recovered Charge VR=900V,IF=450A, 209 μC
IRM Peak Reverse -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15V Tj= 150oC 585 A
Recovery Current
Erec Reverse Recovery Energy 150 mJ
Размеры упаковки

Package Dimensions

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить