YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль IGBT> Высокая возможность короткого замыкания 650 В модуль мощности IGBT 200A 200A
Высокая возможность короткого замыкания 650 В модуль мощности IGBT 200A 200A
Высокая возможность короткого замыкания 650 В модуль мощности IGBT 200A 200A
Высокая возможность короткого замыкания 650 В модуль мощности IGBT 200A 200A
Высокая возможность короткого замыкания 650 В модуль мощности IGBT 200A 200A
Высокая возможность короткого замыкания 650 В модуль мощности IGBT 200A 200A
Высокая возможность короткого замыкания 650 В модуль мощности IGBT 200A 200A

Высокая возможность короткого замыкания 650 В модуль мощности IGBT 200A 200A

$3310-99 Piece/Pieces

$25≥100Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-SKM195GB066D

маркаYzpst

место происхожденияКитай

VCES650V

IC200A

ICRM400A

VGES±20V

Ptot695W

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Пример с картинкой :
Скачать :
IGBT MODULE SKM195GB066D
Описание продукта

Тип модуля мощности IGBT: YZPST-SKM195GB066D


Приложения

Инвертор для моторного привода

Усилитель сервопривода AC и DC DC

UPS (бесперебойные расходные материалы)

Сварная сварочная машина

Функции

Низкий VCE (SAT) с технологией полета траншеи

VCE (SAT) с положительным коэффициентом температуры

Включая антипараллельный FWD Fast & Soft Recovery

Высокая возможность короткого замыкания (10US)

Структура модуля низкой индуктивности

Максимальная температура соединения 175 ℃

650V IGBT Power Module 200A



Абсолютный Максимум Рейтинги

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

650

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

200

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

400

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

695

W

Характеристики IGBT

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =3.2mA,Tvj=25 5.1 5.8 6.3 V
VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25 1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125 5 mA
Collector-Emitter Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25 1.45 1.95 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125 1.65 V
Input Capacitance Cies VCE=25V,VGE =0V, 12.3 nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25 0.37 nF
Internal Gate Resistance Rgint 1 Ω
Turn-on Delay Time td(on) 48 Ns
Rise Time tr IC =200 A 48 Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE =300 V 348 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 58 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 3.6Ω 2.32 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25 5.85 mJ
Turn-on Delay Time td(on) 48 Ns
Rise Time tr IC =200 A 48 Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 300V 364 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 102 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =3.6Ω 3.08 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125 7.92 mJ
SC Data Isc Tp≤10us,VGE=15V,Tvj=150 , Vcc=300V,VCEM≤650V 1000 A

Характеристики диода

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Diode DC Forward Current IF Tc=100 200 A
Diode Peak Forward Current IFRM 400 A
IF=200A,Tvj=25 1.55 1.95 V
Forward Voltage VF IF=200A,Tvj=125 1.5 V
Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Recovered Charge Qrr 8.05 uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us 148 A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25 1.94 mJ
Recovered Charge Qrr 16.9 uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us 186 A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125 3.75 mJ

Характеристики модулей T C = 25 ° C, если не указано иное

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
Maximum Junction Temperature Tjmax 150
Operating Junction Temperature Tvj op -40 125
Storage Temperature Tstg -40 125
per IGBT-inverter 0.19 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter 0.31 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied 0.085 K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5 5 N · m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3 5 N · m
Weight of Module G 150 g

Упаковка Размеры

YZPST-SKM195GB066D Package Dimensions



Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль IGBT> Высокая возможность короткого замыкания 650 В модуль мощности IGBT 200A 200A
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить