YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Тиристорный модуль> Низкий ток утечки 120A 1600 В тиристорный модуль
Низкий ток утечки 120A 1600 В тиристорный модуль
Низкий ток утечки 120A 1600 В тиристорный модуль
Низкий ток утечки 120A 1600 В тиристорный модуль
Низкий ток утечки 120A 1600 В тиристорный модуль
Низкий ток утечки 120A 1600 В тиристорный модуль
Низкий ток утечки 120A 1600 В тиристорный модуль
Низкий ток утечки 120A 1600 В тиристорный модуль

Низкий ток утечки 120A 1600 В тиристорный модуль

$19.250-499 Piece/Pieces

$15.2≥500Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Others
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-SK120KQ16

маркаYzpst

место происхожденияКитай

VRRM1600V

VDRM1600V, 1700V

VDSM1700V

IRRM5mA

IT(AV)90A

IT(RMS)145A

ITSM2100A

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Скачать :
Thyristor Module SK120KQ16
Описание продукта
120A 1600 В тиристорный модуль
Соответствует RoHS
YZPST-SK120KQ16
Особенности продукта
Компактная конструкция
Один винтовой монтаж
Теплопередача и изоляция через DBC
Стеклянная пассивация тиристор
Низкий ток утечки
ПРИЛОЖЕНИЯ
Мягкие стартеры
Контроль температуры

Световой контроль

YZPST-SK120KQ16-1

Абсолютные максимальные оценки (TC = 25 ° C, если не указано иное)

Symbol Parameter Test Conditions Values Unit
VRRM Maximum Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1600 V
VDRM Maximum repetitive peak off-state voltage
VRSM Non-Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1700 V
VDSM Non-repetitive peak off-state voltage
IRRM Maximum Repetitive Reverse Current Tvj=125 5 mA
IDRM Maximum repetitive peak off-state Current
IT(AV) Mean On-state Current TC=85 90
IT(RMS) RMS Current TC=85, sin180 145 A
ITSM Non Repetitive Surge Peak On-state Current 10ms, Tj=25 2100
I2t For Fusing 10ms, Tj=25 20000 A2S
VTM Peak on-state voltage ITM=300A 1.8 V
dv/dt critical rate of rise of off-state voltage VD =2/3VDRM   Gate Open Tj=125 1000 V/us
IGT gate trigger current     max. 80 mA
VGT gate trigger voltage     max. 1.5 V
IH gate trigger current 250 mA
IL latching current 300 mA
Viso AC   50Hz   RMS    1min 2500 V
TJ Junction Temperature -40 to +125
TSTG Storage Temperature Range -40 to +125
RthJC Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip ) 0.35  /W
Torque mounting force, Module to Sink 2 Nm
Tsolder Teminals,10s 260

Ты пьет

Outlines

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить