YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Тиристорный модуль> Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль
Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль
Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль
Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль
Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль
Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль
Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль
Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль
Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль

Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль

$18.550-999 Piece/Pieces

$13.5≥1000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-SK45UT16

маркаYzpst

место происхожденияКитай

Vrsm1700V

Vrrw1600V

Vdrm1600V

LRMS47A (full conduction)

Vtmax. 1,9V

Vt(to)max. 1V

RTmax. 10

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Скачать :
Описание продукта
Антипараллельный тиристорный модуль
P/N: YZPST-SK45UT
Функции
•Компактная конструкция
• Один винтовой монтаж
• Теплопередача и изоляция с помощью прямой керамики с оксидом алюминия (DBC)
• Стеклянные пассивные тиристорные чипсы
• Обратное напряжение до 1600 В.
Типичные области применения
• Мягкие стартеры
• Управление светом (студии, театры ...)

•Контроль температуры

Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль

Vrsm Vrrw Vdrm lRMS = 47A (full conduction)
V V (Ts = 85 °C)
900 800 SK 45 UT 08
1300 1200 SK45 UT12
1700 1600 SK45 UT16
Symbol Conditions Values Units
Irms W1C : sin. 180°: Ts=100oC 33 A
W1C;sin.180o;Ts = 85oC 47 A
Itsm Tvj = 25 oC;10ms 450 A
i2t Tvj = 125oC;10ms 380 A
T/25 oC;8,3...10ms 1000 A2s
Tvj = 125oC;8,3...10ms 720 A2s
Vt T/25 °C, lT = 75A max. 1,9 V
Vt(to) Tvj = 125oC max. 1 V  mQ mA
rT Tvj = 125oC max. 10
IRD T/125°C, VRD=VRRM max. 10
IrD
tgd Tvj = 25 OC, lG = 1A; diG/dt= 1 A/ps 1 MS
Vd = 0,67*Vdrm 2 MS
(dv/dt)cr Tvj = 125oC 1000 V/ps
(di/dt)cr tq lH Tvj = 125oC; f= 50...60 Hz 50 A/ps
II Tvj = 125 °C; typ. 80 MS mA mA
TVj = 25 °C; typ. / max. 80/150
TVj = 25 °C;Rg = 33Q; typ. / max. 150/300
Vgt 歸二25 °C; d.c. 歸二25 °C; d.c. min. 3 min. 100 max. 0,25 V  mA
IGT Tvj = 125oC;d.c. max. 3 V  mA
Vgd Tvj = 125oC;d.c.
Igd
Khfj-s) cont. per thyristor sin 180° per thyristor cont. perWIC sin 180° perWIC 1,2 K/W
Khfj-s) terminals, 10s 1,24 K/W
L 0,6 K/W
Tstg 0,62 K/W
^solder -40...+125 °C
-40...+125 °C
260 °C
Vis。] a. c. 50 Hz; r.m.s.; 1s/1 min. Mounting torque to heatsink 3000/2500 V~
Ms 2,5 Nm
Mt 30 Nm m/s2
a g
m
Case T13
Размеры
Dimensions

Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Тиристорный модуль> Компактный дизайн SK45UT Антипараллельный тиристорный модуль
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить