YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Тиристорный модуль> Высокий всплеск тиристорных модулей IT AV 150A
Высокий всплеск тиристорных модулей IT AV 150A
Высокий всплеск тиристорных модулей IT AV 150A
Высокий всплеск тиристорных модулей IT AV 150A
Высокий всплеск тиристорных модулей IT AV 150A
Высокий всплеск тиристорных модулей IT AV 150A
Высокий всплеск тиристорных модулей IT AV 150A

Высокий всплеск тиристорных модулей IT AV 150A

$21.550-499 Piece/Pieces

$17.5≥500Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Air,Express
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-PWA150-40

маркаYzpst

место происхожденияКитай

IT(AV)150A

ITRMS230A

ITSM3000A

I2t38kA2S

VDRM/VRRM40V

Di/dt100A/us

Viso3000V

Tj-30 ~ + 150℃

Tstg-30 ~ + 125℃

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Пример с картинкой :
Тиристор модуль PWA150-40
Описание продукта
Тиристорные модули Тип: YZPST-PWA150SA-40
Этот продукт представляет собой тиристорский модуль, подходящий для применений с низким напряжением, 3 фазовых рецидиваторов.
Это (av) 150a (каждое устройство)
Высокий ток 3000 a (60 Гц)
Легкое строительство
Неизолированный. Монтажная база в качестве общего анодного терминала
Приложения
Сварка питания

Различный источник питания постоянного тока

Максимальные рейтинги

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IT(AV)

Single phase,half wave,180° conduction, TC=116°C

150

A

ITRMS

Single phase,half wave,180° conduction, TC=116°C

230

A

ITSM

Tj=150°C

3000

A

I2t

Tj=150°C

38

kA2S

VDRM/VRRM

 

40/40

V

di/dt

non-repetitive

100

A/us

Viso

A.C.1minute

3000

V

Tj

 

-30  ~  + 150

°C

Tstg

 

-30  ~  + 125

°C

W

approximate

250

g

Электрические характеристики

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IDRM /IRRM

AtVDRM,Single phase,half wave,Tj=150°C

40

mA

VTM

On-State Current 450A,Tj=150°C

1.2

V

VT(TO)

Tj=150°C

-

V

tgd

Tj=25°C

-

us

tq

Tj=150°C

-

us

IGT/VGT

Tj=25°C

100 / 3.0

mA/V

VGD

VD=67%VDRM , Tj=150°C

0.25

V

DV/DT

VD=67%VDRM

200

V/us

IH

Tj=25°C

-

mA

IL

Tj=25°C

-

mA

Rth(j-c)

Per Module

0.15

°C/W

Набросок рисунка

thyristor module Outline Drawing

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить