YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Силиконовый контролируемый выпрямитель (SCR)> NPN Silicon Power Transistors MJE2955T, дополняющий MJE3055T
NPN Silicon Power Transistors MJE2955T, дополняющий MJE3055T
NPN Silicon Power Transistors MJE2955T, дополняющий MJE3055T
NPN Silicon Power Transistors MJE2955T, дополняющий MJE3055T
NPN Silicon Power Transistors MJE2955T, дополняющий MJE3055T
NPN Silicon Power Transistors MJE2955T, дополняющий MJE3055T

NPN Silicon Power Transistors MJE2955T, дополняющий MJE3055T

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-MJE2955T

маркаYzpst

VCBO-70V

VCEO-60V

VEBO-5V

IC-10A

PTOT75W

Tj150℃

Tstg-55-150℃

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка коробки Caron 3. Пластическая защитная упаковка
Скачать :
Yzpst-mje2955t npn кремниевые транзисторы MJE29
Описание продукта


PNP кремниевые транзисторы MJE2955T

Desrpription:
MJE2955T является транзистором PNP, который дополняет MJE3055T и используется в схемах усиления мощности аудио.

Форма упаковки: до 220

TO220 Silicon Power Transistors MJE2955T

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

-70

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-60

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Continuous Collector Current

-10

A

PTOT

Total dissipation at Tcase=25 ℃

75

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature Range

-55-150




Электрические характеристики (TC = 25 ° C, если иное. указано)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

VCBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= -10mA

-70

 

 

V

VCEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= -200mA

-60

 

 

V

VEBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE= -10mA

- 5

 

 

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -70V

 

 

1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -5V

 

 

5

mA

hFE

DC Current Gain

IC= -4A,VCE= -4V

20

 

100

 

VCE(sat)

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= -4A,IB= -0.4A

 

 

-1.1

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= -4A,IB= -4A

 

 

-1.8

V

fT

Transition Frequency

VCE=10V, IC=0.5A f=1MHZ

2

 

 

MHZ

aPulse Testtp ≤300usδ≤2%

Пакет механический ДАННЫЕ

MJE2955T Complementary to MJE3055T TO220


Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить