YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Силиконовый контролируемый выпрямитель (SCR)> SCR транзистор мощность транзистора цена с отличной ценой
SCR транзистор мощность транзистора цена с отличной ценой
SCR транзистор мощность транзистора цена с отличной ценой
SCR транзистор мощность транзистора цена с отличной ценой

SCR транзистор мощность транзистора цена с отличной ценой

Получите последнюю цену
Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Air
Порт:Shanghai
Атрибуты продукта

МодельYZPST-1690-TO-247S

маркаYZPST

Упаковка и доставка
Тип упаковки : 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка
Описание продукта
PST1690 серии 90A SCR

YZPST-1690-TO-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 ы е р ы е я щ е значок си л с о н контролируемом ЗАП т I F IERS, П ри ч я г ч аб л я итй к Wit ч й зве т ч е s h o ck l o a d i n g о л е г лар с U R R ан т, р ро против ида х я г ч д в / д т темп с с т р о г сопротивляться с в е LEC т р о м а е пе крестики я н т е р е п е ре л е. Th е у РЗ Е С р е бенно ЗАП о мм ен д е й е о использовании г хорошо S O L I D й ТЕ РЕЛА у, мо т о тс у CLE, ро ж е г с га г г е р, T - T o o ls e tc

SCR транзистор мощность транзистора цена с отличной ценой

A B S O L U TE MA X I MU M R A TINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40-150

Operating junction temperature range

Tj

-40-125

Repetitive peak off-state voltage

VDRM

1600

V

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

1600

V

Average on-state current (TC=80)

IT(AV)

56

A

RMS on-state current(TC=80)

IT(RMS)

90

A

Non repetitive surge peak on-state current

(tp=10ms)

 

ITSM

 

1250

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

7800

A2s

Critical rate of rise of on-state current

(IG=2×IGT)

 

dI/dt

 

150

 

A/μs

Peak gate current

IGM

10

A

Peak gate power

PGM

20

W

Average gate power dissipation(Tj=125)

PG(AV)

2

W


E L E C TRICAL CH A R A CTERI S TICS
( T j = 25 у п меньше о т ч е р ж ISE ы ре CI е я д е)

 

Symbol

 

Test Condition

Value

 

Unit

MIN.

TYP.

MAX.

IGT

 

VD=12V RL=30Ω

10

-

80

mA

VGT

-

-

1.5

V

VGD

VD=VDRM Tj=125

0.25

-

-

V

IL

 

IG=1.2 IGT

-

-

200

mA

IH

 

IT=1A

-

-

150

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Tj=125 Gate Open

1000

-

-

V/μs

С ТА ТИК C H A RA CTERI S TICS

Symbol

Parameter

Value(MAX)

Unit

VTM

ITM=110A tp=380μs

TC=25

1.8

V

IDRM

 

VD=VDRM VR=VRRM

TC=25

50

μA

IRRM

TC=125

10

mA

ТЕПЛОВОЙ R E S I S T AN CE S

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth(j-c)

junction to case(DC)

0.27

/W


Детальные изображения

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить