YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Пластиковый пакет диода> Эпитаксиальная конструкция 5.0AMP диод с барьером Шоттки SBD
Эпитаксиальная конструкция 5.0AMP диод с барьером Шоттки SBD
Эпитаксиальная конструкция 5.0AMP диод с барьером Шоттки SBD
Эпитаксиальная конструкция 5.0AMP диод с барьером Шоттки SBD
Эпитаксиальная конструкция 5.0AMP диод с барьером Шоттки SBD
Эпитаксиальная конструкция 5.0AMP диод с барьером Шоттки SBD
Эпитаксиальная конструкция 5.0AMP диод с барьером Шоттки SBD

Эпитаксиальная конструкция 5.0AMP диод с барьером Шоттки SBD

$0.0571000-9999 Piece/Pieces

$0.048≥10000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа:10000 Piece/Pieces
транспорт:Ocean,Air
Порт:Shanghai
Атрибуты продукта

МодельYZPST-SB5100

маркаYZPST

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage100v

Maximum RMS Voltage70v

Maximum DC Blocking Voltage100v

Maximum Average Forward Rectified Current5a

Maximum DC Reverse Currentent200ua

At Rated DC Blocking Voltage20ma

Storage Temperature Range TSTG-65 +150℃

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Тесьма
Описание продукта


YZPST-SB520 THRU SB5200

Эпитаксиальная конструкция 5.0AMP диод с барьером Шоттки SBD

ОСОБЕННОСТИ
Низкое прямое падение напряжения
Возможность высокого тока
Высокая надежность
Устойчивость к высоким импульсным токам
Эпитаксиальная конструкция
МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Корпус: формованный пластик
Эпоксидная смола: огнестойкий класс UL 94V-0
Вывод: осевые выводы, под пайку в соответствии с MIL-STD-202, метод 208 гарантирован
Полярность: цветная полоса обозначает катодный конец
Монтажное положение: любое
Вес: 1,00 грамм
Доступны как обычные, так и бессвинцовые продукты:
Нормальный: 80 ~ 95% Sn, 5 ~ 20% Pb
Не содержит свинца: 99 Sn, указанное выше, может соответствовать требованиям директивы Rohs о веществах для окружающей среды.
YZPST-SB5100-1

ДИАПАЗОН НАПРЯЖЕНИЯ
От 20 до 200 вольт
ТЕКУЩИЙ
5,0 ампер


МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЬНЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Номинальная температура окружающей среды 25 C, в остальных случаях не указано иное. Однофазная полуволна, 60 Гц, резистивная или индуктивная нагрузка.
Для емкостной нагрузки уменьшите ток на 20%.

TYPE NUMBER

SB520

SB540

SB540

SB580

SB5100

SB5150

SB5200

UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

20

40

60

80

100

150

200

V

Maximum RMS Voltage

14

32

42

56

70

105

140

V

Maximum DC Blocking Voltage

20

40

60

80

100

150

200

V

Maximum Average Forward Rectified Current

See Fig. 1

 

5.0

 

A

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

 

150

 

A

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 5.0A

0.55

0.70

0.85

V

Maximum DC Reverse Current Ta=25 C

at Rated DC Blocking Voltage Ta=100 C

200

20

uA

mA

Typical Junction Capacitance (Note1)

380

pF

Typical Thermal Resistance RqJA (Note 2)

10

C/W

Operating Temperature Range TJ

-65 +150

C

Storage Temperature Range TSTG

-65 +150

C


ЗАМЕТКИ:
1. измерено на частоте 1 МГц и приложенном обратном напряжении 4,0 В постоянного тока.
2. Термостойкое соединение с окружающей вертикальной монтажной платой на печатной плате. Длина вывода 0,5 дюйма (12,7 мм).





Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Пластиковый пакет диода> Эпитаксиальная конструкция 5.0AMP диод с барьером Шоттки SBD
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить