3000В быстро тиристоров KK1000A КК

    Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Срок поставки: 30 дней

Базовая информация

Модель: YZPST-63H200

Тип: Внутренний полупроводник

Additional Info

производительность: 100

марка: YZPST

транспорт: Ocean,Air

Место происхождения: Китай

Способность поставки: 500

Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

Код ТН ВЭД: 85413000

Порт: Shanghai

Описание продукта

Быстро тиристоров

YZPST-63H200

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Примечания:

Все рейтинги указаны для TJ=25 ОС, если

в противном случае заявлено.

(1) Все номинальные напряжения указаны для применяемых

50Гц/60zHz синусоидального сигнала на

диапазон температур от -40 до +125 ОС.

(2) 10 мсек. Макс. Ширина импульса

(3) максимальное значение для TJ = 125 ОС.

(4) минимальное значение для линейной и экспоненциальной

волны до 80% номинальной VDRM. Открыть ворота.

Тј = 125 ОС.

(5) неповторяющееся значение.

(6) значение ди/ДТ устанавливается в соответствии

с EIA/Стандарт НИМА РС-397, раздел

5-2-2-6. Определенное значение будет в адди-

ния, которые были получены от снабберной цепи,

содержащий 0.2 Ф конденсатор и 20 ом

сопротивление параллельно с thristor под

тест.

Блокировки В Выключенном Состоянии



VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

3000

3000

3100

ВРРМ = повторяющееся пиковое обратное напряжение

ВДРМ = повторяющееся пиковое обратное напряжение

ВРСМ = не повторяющееся пиковое обратное напряжение (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

100 mA

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec



Проведение - на государство

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

1000

A

Sinewave,180o conduction,Tsink=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

1700

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

15.9

KA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.26x106

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.42

V

ITM =2000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

150

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Стробирования

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

300

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3.0

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

Динамические

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1.6

0.8

ms

ITM =500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

-

120

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

-

-

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Для гарантированного Макс. стоимость, свяжитесь с фабрики.

ТЕРМИЧЕСКИХ И МЕХАНИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ОЦЕНОК

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - case to heatsink

RQ (c-s)

-

-

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - junction to heatsink

RQ (j-s)

0.022

0.044

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

19

26

kN

Weight

W

510

g

about

* Монтажные поверхности гладкой, ровной и смазаны

Примечание : в случае очертания и размеры, см. пример эскизного чертежа в последней странице этого Технические данные


Fast thyristors 63H20

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1



Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Инвертор Тиристорный

изображение Продукта

  • 3000В быстро тиристоров KK1000A КК
Письмо этому поставщику
  • *Тема:
  • *Сообщений:
    Ваше сообщение должно быть в пределах 20-8000 символов
Общайтесь с поставщика?поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта