YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль диода> Низкий потерей мощности MK5050 Schottky Mounder Diode Module для PV
Низкий потерей мощности MK5050 Schottky Mounder Diode Module для PV
Низкий потерей мощности MK5050 Schottky Mounder Diode Module для PV
Низкий потерей мощности MK5050 Schottky Mounder Diode Module для PV
Низкий потерей мощности MK5050 Schottky Mounder Diode Module для PV
Низкий потерей мощности MK5050 Schottky Mounder Diode Module для PV
Низкий потерей мощности MK5050 Schottky Mounder Diode Module для PV
Низкий потерей мощности MK5050 Schottky Mounder Diode Module для PV

Низкий потерей мощности MK5050 Schottky Mounder Diode Module для PV

$0.392000-9999 Piece/Pieces

$0.35≥10000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-MK5050

маркаYzpst

место происхожденияКитай

VRRM50V

VRMS35V

VDC50V

I(AV)50A

IFSM400A

TOP-55~+150℃

TJ≤ 200℃

Tstg-55~+150℃

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Пример с картинкой :
Скачать :
Шоткийский обходной диодный модуль MK5050
Описание продукта
Модуль байпаса для PV
P/N: YZPST-MK5050
Обратное напряжение: 50 В
Впередный ток: 50 a
ФУНКЦИИ
Металл из кремниевого выпрямителя, проводимость носителей большинства
Охранять кольцо для переходной защиты
Низкая потеря мощности, высокая эффективность
Высокие возможности тока, низкий ИК
Высокая емкость
Высокая температурная обратная характеристика отлично подходит для использования в защите солнечных батарей.
Механические данные
Корпус: формованный пластик, MT09E
Эпоксидная смола: UL 94V-O-STAC
Полярность: как отмечено
Монтажная позиция: любая

Маркировка: MK5050

YZPST-MK5050

Максимальные оценки и электрические характеристики
Рейтинги при 25 ℃ температура окружающей среды, если не указано иное.
Одиночная фаза, полувол, 60 Гц, резистивная или индуктивная нагрузка.
Для емкостной нагрузки, более высокий ток на 20%.
Symbols MK5050 Units
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 50 V
Maximum RMS Voltage VRMS 35 V
Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 V
Maximum Average Forward Rectified Current at TC = 125°C I(AV) 50 A
Peak Forward Surge Current,
8.3ms single half-sine-wave IFSM 400 A
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward at IF  = s0A, TC  = 25°C at IF  = s0A, TC  =125°C VF 0.55 V
Voltage (Note 1) 0.47
Maximum Reverse Current at TJ=25 IR 0.5 mA
at Rated DC Blocking Voltage TJ=100 500
Typical Thermal Resistance RθJC 1.2 /W
Operating Junction Temperature Range TOP -55 to +150
Junction Temperature in DC Forward Current Without Reverse Bias. T  1 hour (Note 3) TJ  200
Storage Temperature Range Tstg -55 to +150

ПРИМЕЧАНИЯ:

1- 300US Ширина импульса, 2%рабочего цикла.

2-тепловое соединение сопротивления к случаю. Без радиатора.

3- Встречается с реквизитами IEC 61215 изд. 2 Обход диодного теплового испытания.



Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Модуль диода> Низкий потерей мощности MK5050 Schottky Mounder Diode Module для PV
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить