Высокий DV/DT BTA208-800D 800V 8A до 220 Triac

Высокий DV/DT BTA208-800D 800V 8A до 220 Triac

Name: Triac BTA208-800D до 220
Uploaded: 2023-10-16T07:39:02+08:00
Description: Triac BTA208-800D до 220

$0.115000-19999 Piece/Pieces

$0.09≥20000Piece/Pieces

Вид оплаты:	L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:	FOB,CFR,CIF
транспорт:	Ocean,Land,Express,Others
Порт:	SHANGHAI

Option:

IT(RMS):8A
VDRM/VRRM:600/800V
IT(RMS):8A
ITSM t=20ms:65A
IGT:≤10mA
ITSM t= 16.7ms;71A

Свяжитесь сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта

Модель: YZPST-BTA208-800D

марка: Yzpst

Place Of Origin: China

IT(RMS): 8A

VDRM/VRRM: 600/800V

IGT: ≤10mA

ITSM T=20ms: 65A

ITSM T= 16.7ms: 71A

I2t: 21A2S

Di/dt: 100A/μs

Упаковка и доставка

Продажа единиц жилья	:	Piece/Pieces
Тип упаковки	:	1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Скачать	:

Triac BTA208-800D до 220



Описание продукта

BTA208 Triacs

YZPST-BTA208-800D

Desrpription:
Из -за разделения стеклянной пассивации, эти устройства имеют хорошее
производительность на DV/DT и надежность. Серия Triac подходит для переключения переменного тока общего назначения. Они могут быть использованы в качестве выключения
Функция в приложениях, таких как статические реле, регулирование нагрева или для работы фазового управления в световых диммерах, скорости двигателя
контроллеры.

TO-220

Основные особенности

Symbol	Value	Unit
IT(RMS)	8	A
VDRM/VRRM	600/800	V
IGT	≤10	mA

АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ

Symbol	PARAMETER		Value	Unit
IT(RMS)	RMS on-state current(full sine wave)	TO-220.Non-Ins TC≤102℃	8	A
	Non repetitive surge peak on-state current	t=20ms	65
ITSM	(full sine wave, Tj=25℃)	t= 16.7ms	71	A
I2t	I2t Value for fusing	t= 10ms	21	A2S
di/dt	Repetitive rate of rise of on-state Current after triggering	ITM = 12 A; IG = 0.2 A dIG/dt = 0.2 A/us	100	A/μs
IGM	Peak gate current	—	2	A
VGM	Peak gate voltage	—	5	W
PGM	Peak gate power	—	5	W
PG(AV)	Average gate power	over any 20 ms period	0.5	W
Tstg	Storage junction temperature range	-40 to +150		℃
Tj	Operating junction temperature range	125		℃

Электрические характеристики (TJ = 25。C, если не указано иное)

Статические характеристики

Symbol				Value
Symbol	Parameter	Test Condition	Quadrant	MIN	TYPE	MAX	Unit
IGT	Gate trigger current	VD= 12V, IT=0. 1A	Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	-	-	10	mA
		VD= 12V, IT=0. 1A		-	0.7	1.5
VGT	Gate trigger voltage	VD=400V, IT=0. 1A,Tj= 125°C		0.25	0.4	-	V
VT	On-state voltage	IT= 10A		-	1.3	1.65	V
IH	Holding current	VD= 12V, IGT=0. 1A	Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ	-	-	60	mA
			Ⅰ-Ⅲ	-	-	60	mA
IL	Latching current	VD= 12V, IGT=0. 1A	Ⅱ	-	-	90	mA
ID	Off-state leakage current	VD = VDRM(max); Tj= 125 ˚C		-	0.1	0.5	mA

Динамические характеристики

Symbol			Value
	Parameter	Test Condition	MIN	TYPE	Unit
dVD/dt	Critical rate of rise of off- state voltage	VDM = 67% VDRM(max); Tj = 125 ˚C	1000	4000	V/us
		exponential waveform; gate open circuit
dIcom/dt	Critical rate of change of commutating current	VDM = 400 V; Tj = 125 ˚C; IT(RMS) = 8 A; without snubber; gate open circuit		14	A/ms
T	Gate controlled turn-on time	ITM = 12 A; VD = VDRM(max) ; IG = 0. 1 A; dIG/dt = 5 A/µs		2	us
tgt