YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Би -указания тиристор (триак)> Высокая скорость DV/DT BTA316-800E 16A Triac Tiac to-220
Высокая скорость DV/DT BTA316-800E 16A Triac Tiac to-220
Высокая скорость DV/DT BTA316-800E 16A Triac Tiac to-220
Высокая скорость DV/DT BTA316-800E 16A Triac Tiac to-220
Высокая скорость DV/DT BTA316-800E 16A Triac Tiac to-220
Высокая скорость DV/DT BTA316-800E 16A Triac Tiac to-220
Высокая скорость DV/DT BTA316-800E 16A Triac Tiac to-220
Высокая скорость DV/DT BTA316-800E 16A Triac Tiac to-220

Высокая скорость DV/DT BTA316-800E 16A Triac Tiac to-220

$0.163000-9999 Piece/Pieces

$0.14≥10000Piece/Pieces

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Land,Air,Others
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-BTA316-800E

маркаYzpst

место происхожденияКитай

IT(RMS)16A

VDRM≥800V

VRRM≥800V

ITSM160A

I2t140A2S

IGM4A

VGM16V

PGM40W

PG(AV)1W

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиэлектростатическая упаковка 2. коробка картонной коробки 3. Особа
Скачать :
Triac BTA316-800E TO220
Описание продукта

YZPST-BTA316-800E

Высокая скорость DV/DT BTA316-800E 16A Triac Tiac to-220

Упаковка
До-220f

YZPST-BTA316-600B
Основная особенность (TJ = 25 ℃)

Symbol Value Unit
IT(RMS) 16 A
VDRM   / VRRM 800 V
ITSM 160 A

Абсолютный Рейтинги ( ограничение Значения )

Symbol Parameter Value Unit
IT (RMS) Rms on-state current(full sine wave) 16 A
Non- repetitive Peak on-state
ITSM Current (Tj=25,tp=20ms) 160 A
I2t I2   for fusing(tp=10ms) 140 A2S
IGM Peak gate current 4 A
VGM Peak gate voltage 16 V
PGM Peak gate power 40 W
PG(AV) Average gate power 1 W
dIT/dt Repetitive rate of rise of on-state current after triggering - 50
(IT=6A,IG =0.2A,dlG/dt=0.2A/us) 50 A/μs
Tstg Storage temperature 110
Tj Operating junction temperature 85

Устойчивость к термаи

Symbol Parameter Condition Type Unit
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to case One cycle 220F 1.2 /W
Rth j-a Thermal Resisatance,Junction to ambient —— —— 60 /W

Электрический характеристики ( TJ = 25Если в противном случае заявлено )

Symbol Test Conditions Type Max Unit
BTA316-800 C B
VD=12V    IT=0.1A
T2+ G+ 11 16 25 mA
IGT T2+ G- 12 20 30 mA
T2- G- 18 25 50 mA
T2- G+ mA
IH VD=12V IGT=0.1A 25 50 mA
VTM IT=20A — 1.3 1.7 V
DRM DRM=520V 10 μA
IRRM VRRM=520V 15 μA
VD=12V    IT=0.1A
VGT Tj=125 —— 1.65 V
VD=VDRMMAX
ID Tj=125 —— 0.5 mA

Мера упаковка до 263 :

YZPST-BTA316-600B TO-220F

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить