YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Тиристорный модуль> YZPST-IXFN64N50 500 В Мощность МОП-транзистора производитель
YZPST-IXFN64N50 500 В Мощность МОП-транзистора производитель
YZPST-IXFN64N50 500 В Мощность МОП-транзистора производитель
YZPST-IXFN64N50 500 В Мощность МОП-транзистора производитель
YZPST-IXFN64N50 500 В Мощность МОП-транзистора производитель
YZPST-IXFN64N50 500 В Мощность МОП-транзистора производитель
YZPST-IXFN64N50 500 В Мощность МОП-транзистора производитель

YZPST-IXFN64N50 500 В Мощность МОП-транзистора производитель

$1510-199 Bag/Bags

$12≥200Bag/Bags

Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа:10 Bag/Bags
транспорт:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибуты продукта

МодельYZPST-IXFN64N50

маркаYZPST

Описание продукта

Мощность МОП-транзистора

YZPST-IXFN64N50

Режим улучшения N-канала

Лавина Номинальная

Быстрый встроенный диод


YZPST-IXFN64N50-1
Параметры продукта
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V 
Vgs (Max)
±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8700pF @ 25V

FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
700W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC

Характеристики

Международный стандартный пакет

Инкапсулирующая эпоксидная смола

UL 94V-0, классификация воспламеняемости

miniBLOC с нитридом алюминия

изоляция

Диод быстрого восстановления

Индуктивное переключение с выключателем (UIS)

рейтингу

Низкая индуктивность пакета

- легко управлять и защищать

преимущества

Легко монтировать

Экономия пространства

Высокая плотность мощности

YZPST-IXFN64N50-2YZPST-IXFN64N50-3






Горячие продукты
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые модульные устройства> Тиристорный модуль> YZPST-IXFN64N50 500 В Мощность МОП-транзистора производитель
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить