Мощность транзистор СМД 110В STC2326

    Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Срок поставки: 30 дней

Базовая информация

Модель: YZPST-STC2326

Additional Info

производительность: 1000

марка: YZPST

транспорт: Ocean,Air

Место происхождения: Китай

Способность поставки: 10000

Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

Код ТН ВЭД: 85413000

Порт: SHANGHAI

Описание продукта

БTA30 серии Симисторы

YZPST-STC2326

Описание


В STC2326 является N-канальный логический режим повышения мощности полевой транзистор, который производится с использованием супер высокая плотность клеток КМО trench технологии. В STC2326 была разработана специально для того, чтобы повысить общую эффективность постоянного тока/ DC преобразователей с помощью синхронных или обычных регуляторов переключения ШИМ. Она была оптимизирована для низкий заряд затвора, низкий RDS(на) и быстрого переключения скорости.

Приложения


Системы Питания

Постоянного тока/DC преобразователь

Выключатель Нагрузки


Особенности

110В/3А,RDS(дальше)=310mΩ при vgs=10В

Высокая плотность конструкции клетки для крайне низкий RDS (на)

Исключительные устойчивость и максимальный постоянный ток возможность

Корпус sot-23-6л дизайн упаковки


КОНФИГУРАЦИЯ ВЫВОДОВ(КОРПУС SOT-23-6Л)

mosfet STC2326 (1)

Pin

Symbol

Description

1

D

Drain

2

D

Drain

3

G

Gate

4

S

Source

5

D

Drain

6

D

Drain

ОПРИКАЗИНГ ВФОРМАТЯОН

Part Number

Package

Part   Marking

SPN2326S26RGB

SOT-23-6L

26YW

АБСУлте мАхяМуМ РАТВГС (ТА=25℃ уНЛЕыы отчершяые нотед)

Parameter

Symbol

Typical

Unit

 

Drain-Source Voltage

 

VDSS

 

110

 

V

Gate Source Voltage

 

VGSS

 

±20

 

V

 

Continuous Drain Current(TJ=150℃)

TA=25℃

 

ID

3.0

 

A

TA=70℃

2.0

 

Pulsed Drain Current

 

IDM

 

10

 

A

 

Power Dissipation

TA=25℃

 

PD

2.0

 

W

TA=70℃

1.3

 

Operating Junction Temperature

 

TJ

 

-55/150

Storage Temperature Range

TSTG

-55/150

Thermal Resistance-Junction to Ambient

RθJA

62.5

/W

 

Parameter

 

Symbol

 

Conditions

 

Min.

 

Typ

 

Max.

 

Unit

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

V(BR)DSS

VGS=0V,ID=250uA

110

 

 

V

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=250uA

1

2.0

2.5

Gate Leakage Current

IGSS

VDS=0V,VGS=±20V

 

 

±100

nA

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=80V,VGS=0V

 

 

1

uA

VDS=80V,VGS=0V TJ=125

 

 

 

5

On-State Drain Current

ID(on)

VDS5V,VGS =10V

3.0

 

 

A

Drain-Source On-Resistance

RDS(on)

VGS= 10V,ID=3A

 

0.26

0.31

Ω

Forward Transconductance

gfs

VDS=10V,ID=3A

 

2.4

 

S

Diode Forward Voltage

VSD

IS=1A,VGS =0V

 

 

1.2

V

Dynamic

Total Gate Charge

Qg

VDS=80V,VGS=10V ID= 5A

 

9

13

 

nC

Gate-Source Charge

Qgs

 

2

 

Gate-Drain Charge

Qgd

 

1.4

 

Input Capacitance

Ciss

VDS=25,VGS=0V

f=1MHz

 

508

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

 

29

 

Reverse Transfer Capacitance

Crss

 

16.5

 

Turn-On Time

td(on)

 

VDD=50V,RL=10Ω

ID=3A,VGEN=10V RG=3.3Ω

 

2

 

 

nS

tr

 

21.5

 

 

Turn-Off Time

td(off)

 

11.2

 

tf

 

18.8

 

mosfet STC2326 (2)mosfet STC2326 (3)


Группа Продуктов : Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Кремниевый Транзистор

изображение Продукта

  • Мощность транзистор СМД 110В STC2326
  • Мощность транзистор СМД 110В STC2326
Письмо этому поставщику
  • *Тема:
  • *Сообщений:
    Ваше сообщение должно быть в пределах 20-8000 символов
Общайтесь с поставщика?поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта