Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Кремниевый Транзистор > К-247 преобразователя Комплементарных транзисторов NPN

К-247 преобразователя Комплементарных транзисторов NPN
К-247 преобразователя Комплементарных транзисторов NPN

К-247 преобразователя Комплементарных транзисторов NPN

Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Срок поставки: 30 дней

Базовая информация

    Модель: YZPST-2SDW100

    сертификация: RoHS, CE

    Инкапсулирующая структура: Пластиковый герметичный транзистор

Additional Info

    производительность: 1000

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 10000

    Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: Shanghai

Описание продукта

Комплементарные транзисторы Дарлингтона

YZPST-2SDW100

Особенности


■ Комплементарное NPN - PNP транзисторы

Монолитные конфигурации ■ Дарлингтон



Приложения


Аудио ■ усилитель мощности

■ Постоянного тока в переменный конвертер

■ Низкое напряжение привод мотора DC

Общие ■ целью коммутации


Описание


Устройства изготавливаются по планарной технологии с [база остров" и монолитовой конфигурации Дарлингтона.





ТАБЛе 1. ДЕВЯСЕ Срезюме

Order code

Marking

Package

Packaging

2SDW100

2SDW100

TO-247

Tube

2SDW200

2SDW200


1 абсолютный макси -мООН оценок

ТАБЛе 2. АБСОЛутЕ МАХямум ратиНГС

 

Symbol

 

Parameter

Value

 

Unit

NPN

2SDW100

PNP

2SDW200

VCBO

Collector-emitter voltage (IE = 0)

80

V

VCEO

Collector-emitter voltage (IB = 0)

80

V

IC

Collector current

25

A

ICM

Collector peak current (tP < 5 ms)

40

A

IB

Base current

6

A

IBM

Base peak current (tP < 5 ms)

10

A

PTOT

Total dissipation at Tc 25 °C

130

W

TSTG

Storage temperature

-65 to 150

°C

TJ

Max. operating junction temperature

150

°C


НеТЕ: Фили ПнП тьРЕ ВолТАГЭ ай СЮрреНТ вАльщес АРЕ НЕГАтиВЕ


ТАБЛе 3. Тгермал дата

Symbol

Parameter

Value

Unit

RthJC

Thermal resistance junction-case max

0.96

°C/W


2 электрических ЦЧописание

ТЦСые = 25 °С; если другиежисэ оинсманьяков.

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

 

ICBO

Collector cut-off current

(IE = 0)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

ICEV

Collector cut-off current

(VBE = - 0.3 V)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.1

 

mA

 

ICEO

Collector cut-off current

(IB = 0)

 

VCE = 60 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(IC = 0)

 

VEB = 5 V

 

 

 

2

 

mA

VCEO(sus) (1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)

 

IC = 50 mA

 

80

 

 

 

V

 

VCE(sat)(1)

 

Collector-emitter saturation voltage

IC = 5 A      IB = 20 mA IC = 10 A    IB = 40 mA IC = 20 A    IB = 80 mA

 

 

1.2

1.75

3.5

V V V

 

VBE(sat)(1)

Base-emitter saturation voltage

 

C                   B

 

 

 

3.3

 

V

(1)

Base-emitter voltage

I  = 10 A  V     = 3 V

1

 

3

V

 

hFE(1)

 

DC current gain

IC = 5 A      VCE = 3 V IC = 10 A    VCE = 3 V IC = 20 A    VCE = 3 V

600

500

300

 

15000

12000

6000

 

VF(1)

Diode forward voltage

IF = 10 A

 

TBD

 

V

 

Is/b

Second breakdown current

 

VCE = 25 V   t = 500 ms

 

 

TBD

 

 

A



ТАБЛе 4. ЕЛЕСтрясал СНАрастеряытяв CS

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

 

ICBO

Collector cut-off current

(IE = 0)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

ICEV

Collector cut-off current

(VBE = - 0.3 V)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.1

 

mA

 

ICEO

Collector cut-off current

(IB = 0)

 

VCE = 60 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(IC = 0)

 

VEB = 5 V

 

 

 

2

 

mA

VCEO(sus) (1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)

 

IC = 50 mA

 

80

 

 

 

V

 

VCE(sat)(1)

 

Collector-emitter saturation voltage

IC = 5 A      IB = 20 mA IC = 10 A    IB = 40 mA IC = 20 A    IB = 80 mA

 

 

1.2

1.75

3.5

V V V

 

VBE(sat)(1)

Base-emitter saturation voltage

 

C                   B

 

 

 

3.3

 

V

(1)

Base-emitter voltage

I  = 10 A  V     = 3 V

1

 

3

V

 

hFE(1)

 

DC current gain

IC = 5 A      VCE = 3 V IC = 10 A    VCE = 3 V IC = 20 A    VCE = 3 V

600

500

300

 

15000

12000

6000

 

VF(1)

Diode forward voltage

IF = 10 A

 

TBD

 

V

 

Is/b

Second breakdown current

 

VCE = 25 V   t = 500 ms

 

 

TBD

 

 

A

1. Тестовый импульс: Длительность ≤ импульса 300 МКС, скважность ≤ 2 %.

Для PNP напряжение тип и текущие значения являются отрицательными.



К-247 мечАНСАЛ данных

 

Dim.

mm.

Min.

Typ

Max.

A

4.85

 

5.15

A1

2.20

 

2.60

b

1.0

 

1.40

b1

2.0

 

2.40

b2

3.0

 

3.40

c

0.40

 

0.80

D

19.85

 

20.15

E

15.45

 

15.75

e

 

5.45

 

L

14.20

 

14.80

L1

3.70

 

4.30

L2

 

18.50

 

øP

3.55

 

3.65

øR

4.50

 

5.50

S

 

5.50

 

transistors 2SDW100 1transistors 2SDW100



Группа Продуктов : Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Кремниевый Транзистор

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1