Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Кремниевый Транзистор > Низковольтный силовой транзистор общего назначения BD139

Низковольтный силовой транзистор общего назначения BD139
Низковольтный силовой транзистор общего назначения BD139
Низковольтный силовой транзистор общего назначения BD139

Низковольтный силовой транзистор общего назначения BD139

Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Срок поставки: 30 дней
Скачать:

Базовая информация

    Модель: YZPST-BD139

Additional Info

    производительность: 1000

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 10000

    Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: SHANGHAI

Описание продукта


Дополнительный низковольтный транзистор


YZPST-BD139



Характеристики


■ Продукты предварительно выбраны в усилении постоянного тока



заявка


■ общего назначения


Описание


Эти эпитаксиальные плоские транзисторы смонтированы в пластиковом корпусе SOT-32. Они предназначены для аудиоусилителей и драйверов, использующих комплементарные или квазикомплементарные схемы. Типы NPN - это BD135 и BD139, а дополнительные типы PNP - это BD136 и BD140.




T a b le 1 Д е в и к е умм

Order codes

Marking

Package

Packaging

BD135

BD135

 

SOT-32

 

Tube

BD135-16

BD135-16

BD136

BD136

BD136-16

BD136-16

BD139

BD139

BD139-10

BD139-10

BD139-16

BD139-16

BD140

BD140

BD140-10

BD140-10

BD140-16

BD140-16

T a b le 2. Абсолютные максимальные оценки

 

 

 

Symbol

 

 

 

Parameter

Value

 

 

 

Unit

NPN

PNP

BD135

BD139

BD136

BD140

VCBO

Collector-base voltage (IE = 0)

45

80

-45

-80

V

VCEO

Collector-emitter voltage (IB = 0)

45

80

-45

-80

V

VEBO

Emitter-base voltage (IC = 0)

5

-5

V

IC

Collector current

1.5

-1.5

A

ICM

Collector peak current

3

-3

A

IB

Base current

0.5

-0.5

A

PTOT

Total dissipation at Tc   25 °C

12.5

W

PTOT

Total dissipation at Tamb   25 °C

1.25

W

Tstg

Storage temperature

-65 to 150

°C

Tj

Max. operating junction temperature

150

°C

T a b le 3. Тепловые данные

Symbol

Parameter

Max value

Unit

Rthj-case

Thermal resistance junction-case

10

°C/W

Rthj-amb

Thermal resistance junction-ambient

100

°C/W

Symbol

Parameter

Polarity

Test conditions

Value

Unit

Min.

Typ.

Max.

ICBO

Collector cut-off current (I =0)

NPN

VCB = 30 V

VCB = 30 V, TC = 125 °C

0.1

10

µA

µA

PNP

VCB = -30 V

VCB = -30 V, TC = 125 °C

-0.1

-10

µA

µA

IEBO

Emitter cut-off current

(I  =0)

NPN

VEB = 5 V

10

µA

PNP

VEB = -5 V

-10

µA

VCEO(sus)(1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)

NPN

IC = 30 mA BD135

BD139

45

80

V V

PNP

IC = -30 mA BD136

BD140

-45

-80

V V

VCE(sat) (1)

Collector-emitter saturation voltage

NPN

IC = 0.5 A, IB = 0.05 A

0.5

V

PNP

IC = -0.5 A, IB = -0.05 A

-0.5

V

VBE (1)

Base-emitter voltage

NPN

IC = 0.5 A, VCE = 2 V

1

V

PNP

IC = -0.5 A, VCE = -2 V

-1

V

hFE (1)

DC current gain

NPN

IC = 5 mA, VCE = 2 V

IC = 150 mA, VCE = 2 V IC = 0.5 A, VCE = 2 V

25

40

25

250

PNP

IC = -5 mA, VCE = -2 V

IC = -150 mA, VCE = -2 V IC = -0.5 A, VCE = -2 V

25

40

25

250

hFE (1)

hFE groups

NPN

IC = 150 mA, VCE = 2 V BD139-10

BD135-16/BD139-16

63

100

160

250

PNP

IC = -150 mA, VCE = -2 V BD140-10

BD136-16/BD140-16

63

100

160

250


T a b le 4. Состояния вкл / выкл

 

Symbol

 

Parameter

 

Polarity

 

Test conditions

Value

 

Unit

Min.

Typ.

Max.

 

 

ICBO

 

 

Collector cut-off current (I =0)

 

NPN

VCB = 30 V

VCB = 30 V, TC = 125 °C

 

 

0.1

10

µA

µA

 

PNP

VCB = -30 V

VCB = -30 V, TC = 125 °C

 

 

-0.1

-10

µA

µA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(I  =0)

NPN

VEB = 5 V

 

 

10

µA

PNP

VEB = -5 V

 

 

-10

µA

 

 

 

 

VCEO(sus)(1)

 

 

Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)

 

 

NPN

IC = 30 mA BD135

BD139

 

 

45

80

 

 

 

 

V V

 

 

PNP

IC = -30 mA BD136

BD140

 

 

-45

-80

 

 

 

 

V V

 

VCE(sat) (1)

 

Collector-emitter saturation voltage

NPN

IC = 0.5 A, IB = 0.05 A

 

 

0.5

V

PNP

IC = -0.5 A, IB = -0.05 A

 

 

-0.5

V

 

VBE (1)

 

Base-emitter voltage

NPN

IC = 0.5 A, VCE = 2 V

 

 

1

V

PNP

IC = -0.5 A, VCE = -2 V

 

 

-1

V

 

 

 

 

hFE (1)

 

 

 

 

DC current gain

 

 

NPN

IC = 5 mA, VCE = 2 V

IC = 150 mA, VCE = 2 V IC = 0.5 A, VCE = 2 V

25

40

25

 

 

 

250

 

 

 

PNP

IC = -5 mA, VCE = -2 V

IC = -150 mA, VCE = -2 V IC = -0.5 A, VCE = -2 V

25

40

25

 

 

 

250

 

 

 

 

 

hFE (1)

 

 

 

 

hFE groups

 

 

NPN

IC = 150 mA, VCE = 2 V BD139-10

BD135-16/BD139-16

 

 

63

100

 

 

 

160

250

 

 

 

PNP

IC = -150 mA, VCE = -2 V BD140-10

BD136-16/BD140-16

 

 

63

100

 

 

 

160

250

 

transistor BD139 (1)


transistor BD139 (2)




Группа Продуктов : Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Кремниевый Транзистор

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1