Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Кремниевый Транзистор > Транзисторный ВЧ мощность до 3 кремния NPN транзистора

Транзисторный ВЧ мощность до 3 кремния NPN транзистора
Транзисторный ВЧ мощность до 3 кремния NPN транзистора
Транзисторный ВЧ мощность до 3 кремния NPN транзистора

Транзисторный ВЧ мощность до 3 кремния NPN транзистора

Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Срок поставки: 30 дней
Скачать:

Базовая информация

    Модель: YZPST-2N6576

Additional Info

    производительность: 1000

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 10000

    Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: SHANGHAI

Описание продукта


Кремния NPN питания транзисторы Дарлингтона

YZPST-2N6576





Транзисторы из особенностей: 1.Высокий Коэффициент Усиления Дарлингтона Производительность 2. Встроенный диод защиты от обратной полярности защиты

3. Можете быть изгнаны из низкого логического уровня 4. Популярный Диапазон Напряжения




АБСОЛЮТЕ МАХЯМуМ РСТяНГы ( ТА = 25 ОС)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

60

V

 

Collector-Emitter Voltage

 

VCEO

 

60

 

V

Emitter-Base Voltage

VEBO

6.0

V

Collector Current

IC

15

A

Base Current

IB

0.5

A

Total Dissipation at

Ptot

120

W

 

Max. Operating Junction Temperature

Tj

120

oC

 

Storage Temperature

 

Tstg

 

-55~150

 

oC


Parameter

Symbol

Test  Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

 

Collector Cut-off Current

ICEO

 

VCE = 60V, IB = 0

 

-

 

-

 

1.0

 

mA

Collector Cut-off Current

ICBO

VCB = 60V, IE = 0

-

-

0.5

mA

 

Emitter Cut-off Current

 

IEBO

 

VEB = 5.0V, IC = 0

 

-

 

-

 

2.0

 

mA

 

Collector-Emitter Sustaining Voltage

 

VCEO

 

IC = 30mA, IB = 0

 

60

 

-

 

-

 

V

DC Current Gain

 

hFE(1)

 

VCE = 3.0V, IC = 4.0A

 

2000

 

-

 

-

 

 

hFE(2)

 

VCE = 3.0V, IC = 10A

 

500

 

-

 

-

Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

 

IC = 10A, IB = 100mA

 

-

 

-

 

2.5

V

IC = 15A, IB = 150mA

 

-

 

-

4.0

 

Base-Emitter Saturation Voltage

 

VBE(sat)

 

IC = 10A, IB = 100mA

 

-

 

-

 

3.5

 

V

NPN Silicon Power Darlington Transistors YZPST-2N6576NPN Silicon Power Darlington Transistors YZPST-2N6576



Группа Продуктов : Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Кремниевый Транзистор

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1