Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора > Устройство собранное давлением, тиристор большой мощности 4500В

Устройство собранное давлением, тиристор большой мощности 4500В

Устройство собранное давлением, тиристор большой мощности 4500В

Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Срок поставки: 30 дней

Базовая информация

    Модель: YZPST-R3708FC45

Additional Info

    Подробности Упаковки: 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка

    производительность: 100

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 1000

    Сертификаты : ISO9000

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: SHANGHAI

Описание продукта

ТИРИСТОР ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ ФАЗОВОГО УПРАВЛЕНИЯ

YZPST-R3708FC45

Особенности:

, Вся диффузная структура

, Конфигурация линейного усилительного затвора

, Блокирующая способность до 4500 вольт

, Гарантированное максимальное время выключения

, Высокая способность dV / dt

, Устройство под давлением

Блокировка - выключено


Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

R3708FC45

4500

4500

4600


V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение

V DRM

= Ка р etiti v е р о EAK и далее состояние VO LTA г е

V RSM = Нет Кер etiti v е р ЕАК повторно против ERSE во- LTA г е (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 Vsec

Ведение - по состоянию


форма волны в 80% номинальный V DRM . Ворота открыть. Tj знак равно 125 о С.

(5) Неповторяющееся значение.

(6) значение из ди / дт Установлено в в соответствии с EIA / NIMA стандарт RS-397, Раздел

5-2-2-6. Т ч е значение определенный было бы быть в дополнение в тот полученный от снеббер цепи, со т р растет 0.2 μ F конденсатор а также 20 о м с сопротивление в параллельно с thristor под тестом.


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

3708

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

7364

 

A

TS=25oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

50000

 

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

12.5x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

 

1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

 

450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

 

2.1

 

V

ITM = 4000 A; Duty cpstcle 0.01% Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

di/dt

 

 

250

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

di/dt

 

 

100

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА ХАРАКТЕРИСТИКИ А ТАКЖЕ РЕЙТИНГИ R3708FC45 - По ш эр Th у RISTOR

стробирование

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA mA mA

VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

 

0.30

5

3

 

V V V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V

 

D y namic

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

 

2.5

μs

ITM = 50 A; VD = 1500 V

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms;

tr = 0.1 μs; tp = 20 μs

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

 

250

μs

ITM =4000 A; di/dt = 60 As;

VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20

V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us

Reverse recovery current

Irr

 

 

 

A

ITM =4000 A; di/dt = 60 As; VR =100 V


ТЕПЛОВОЙ А ТАКЖЕ МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ А ТАКЖЕ РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+140

 

oC

 

Thermal resistance - junction to sink

RΘ (j-s)

 

0.0075

0.0150

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

98

113

 

kN

 

Weight

W

 

 

2.7

Kg.

 

* монтаж поверхности с м сытный, плоский а также смазанный

C458pb Thyristor

Sym

A

B

C

E

Inches

3.9 3

5.90

5.15

1.37

mm

100

150

131

35±1.0


Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1