Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора > Устройство собранное давлением, тиристор высокой мощности 4500В

Устройство собранное давлением, тиристор высокой мощности 4500В
Устройство собранное давлением, тиристор высокой мощности 4500В
Устройство собранное давлением, тиристор высокой мощности 4500В
Устройство собранное давлением, тиристор высокой мощности 4500В

Устройство собранное давлением, тиристор высокой мощности 4500В

Цена за штуку: USD 310 - 410 / Piece/Pieces
Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Количество минимального заказа: 1 Piece/Pieces
Срок поставки: 30 дней

Базовая информация

    Модель: YZPST-R3708FC45V

    VRRM: 4500V

    VDRM: 4500V

    VRSM: 4600V

    IRRM / IDRM: 200mA

    DV/dt: 200 V/μsec

Additional Info

    Подробности Упаковки: 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка

    производительность: 100

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 1000

    Сертификаты : ISO9000

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: SHANGHAI

Описание продукта

ТИРИСТОР ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ ФАЗОВОГО УПРАВЛЕНИЯ

YZPST-R3708FC45V

Особенности:

, Вся диффузная структура

, Конфигурация линейного усилительного затвора

, Блокирующая способность до 4500 вольт

, Гарантированное максимальное время выключения

, Высокая способность dV / dt

, Устройство под давлением

Блокировка - выключено



Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

R3708FC45

4500

4500

4600


V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение


V DRM


= Ка р etiti v е р о EAK и далее состояние VO LTA г е

V RSM = Нет ре р etiti v е р ЕАК повторно против ERSE во- LTA г е (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 Vsec

Дирижирование - по состоянию


форма волны в 80% рейтингу V DRM . Ворота открыто. Tj знак равно 125 о С.

(5) Неповторяющееся стоимость.

(6) стоимость из ди / дт Установлено в в соответствии с EIA / NIMA стандарт RS-397, Раздел

5-2-2-6. Т ч е стоимость определенный бы быть в дополнение в который полученный из снеббер цепи, со т р растет 0.2 μ F конденсатор и 20 о м с сопротивление в параллельно с участием thristor под тестом.


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

3708

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

7364

 

A

TS=25oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

50000

 

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

12.5x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

 

1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

 

450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

 

2.1

 

V

ITM = 4000 A; Duty cpstcle 0.01% Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

di/dt

 

 

250

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

di/dt

 

 

100

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ R3708FC45 - По ш эр Th у RISTOR

стробирование

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA mA mA

VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

 

0.30

5

3

 

V V V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V

 

D y namic

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

 

2.5

μs

ITM = 50 A; VD = 1500 V

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms;

tr = 0.1 μs; tp = 20 μs

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

 

250

μs

ITM =4000 A; di/dt = 60 As;

VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20

V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us

Reverse recovery current

Irr

 

 

 

A

ITM =4000 A; di/dt = 60 As; VR =100 V


ТЕПЛОВОЙ И МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+140

 

oC

 

Thermal resistance - junction to sink

RΘ (j-s)

 

0.0075

0.0150

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

98

113

 

kN

 

Weight

W

 

 

2.7

Kg.

 

* монтаж поверхности с м сытный, квартира и смазанный

C458pb Thyristor

Sym

A

B

C

E

Inches

3.9 3

5.90

5.15

1.37

mm

100

150

131

35±1.0



Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1