DCR1020SF60 Тиристор большой мощности 6000В

    Цена за штуку: USD 120 / Piece/Pieces
    Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Количество минимального заказа: 20 Piece/Pieces
    Срок поставки: 30 дней

Базовая информация

Модель: YZPST-DCR1020SF60

Additional Info

Подробности Упаковки: 1. Антистатическая упаковка 2. Картонная коробка 3. Пластиковая защитная упаковка

производительность: 100

марка: YZPST

транспорт: Ocean,Air

Место происхождения: Китай

Способность поставки: 500

Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

Код ТН ВЭД: 85413000

Порт: Shanghai

Описание продукта

Тиристоры управления мощностью

YZPST-DCR1020SF60


Особенности:

, Вся диффузная структура

, Конфигурация центральных усилителей

, Блокирующая способность до 4200 вольт

, Гарантированное максимальное время выключения

, Высокая способность dV / dt

, Устройство под давлением





ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Блокировка - выключено

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

6000~6500

6000~6500

6100~6600

V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение

V DRM = периодическое пиковое напряжение выключенного состояния

V RSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

25 mA

150 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Заметки:

Все рейтинги указаны для Tj = 25 oC, если только

в противном случае указано.

(1) Все номинальные напряжения указаны для примененного

Синусоидальная форма волны 50 Гц / 60 Гц в течение

диапазон температур от -40 до +125 оС.

(2) 10 мсек. Максимум. длительность импульса

(3) Максимальное значение для Tj = 125 oC.

(4) Минимальное значение для линейного и экспоненциального

форма волны до 80% номинального VDRM. Открытые ворота.

Tj = 125 oC.

(5) неповторяющееся значение.

(6) Значение di / dt устанавливается в соответствии

со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел

5-2-2-6. Определенное значение будет в

к тому, что получено из демпфирующей цепи,

содержащий конденсатор емкостью 0,2 мкФ и 20 Ом

сопротивление параллельно с тристором под

тестовое задание.



Ведение - по состоянию

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

640

A

Sinewave,180o conduction,Tc=60oC

RMS value of on-state current

ITRMS

1005

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

8.5

KA

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

0.36x106

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

600

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

200

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

3.6

V

ITM = 1800 A; Duty cPSTCle £ 0.01%; Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

100

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

стробирование

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

150

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

300

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3.0

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

динамический

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

-

0.5

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

-

600

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

*

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Для гарантированного макс. значение, свяжитесь с заводом.

ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+125

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

0.022

0.052

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

0.004

0.008

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to sink

RQ (j-s)

-

-

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

18

22

kN

Weight

W

-

g

* Монтажные поверхности гладкие, плоские и смазанные

Ведение - по состоянию

Kk200a4000vthyristor 4

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1




Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора

изображение Продукта

  • DCR1020SF60 Тиристор большой мощности 6000В
Письмо этому поставщику
  • *Тема:
  • *Сообщений:
    Ваше сообщение должно быть в пределах 20-8000 символов
Общайтесь с поставщика?поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта