5200V BV сертифицированный тиристорный драйвер

    Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Срок поставки: 30 дней

Базовая информация

Модель: YZPST-5STP34N5200

Тип: Внутренний полупроводник

Additional Info

производительность: 100

марка: YZPST

транспорт: Ocean,Air

Место происхождения: Китай

Способность поставки: 500

Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

Код ТН ВЭД: 85413000

Порт: Shanghai

Описание продукта

ТИРИСТОР ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ФАЗОВОГО УПРАВЛЕНИЯ

YZPST-5STP34N5200



Особенности:

, Вся диффузная структура

, Конфигурация центральных усилителей

, Гарантированное максимальное время выключения

, Высокая способность dV / dt

, Устройство под давлением

Блокировка - выключено

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

5200

5200

5300

V RRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение

V DRM = периодическое пиковое напряжение выключенного состояния

V RSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

30 mA

95mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

2000 V/msec

Ведение - по состоянию

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. Average value of on-state current

IT(AV)M

 

3600

 

A

Sinewave,180o conduction TC = 70 oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

5850

 

A

Nominal value

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

ITSM

 

63

 

kA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

19.8×103

 

kA2s

Latching current

IL

 

500

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

125

 

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.54

 

V

ITM =3000 A; Tvj=125

Threshold voltage

VTO

 

1.03

 

V

Tvj=125

Slope resistance

Rt

 

0.16

 

mΩ

Tvj=125

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1500 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1500 V

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ (продолжение)

стробирование

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

-

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

7

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

10

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

400

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

 

-

2.6

-

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

10

 

V

 

динамический

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

 

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

700

 

ms

ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/ms;

VR ³200 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 67% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cpstcle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

5200

 

mAs

ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/ms;

VR ³200 V

* Для гарантированного макс. значение, свяжитесь с заводом.

ТЕПЛО-МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+140

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

5.7

11.4

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

1

2

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

81

108

-

kN

 

Weight

W

-

-

2.9

Kg

 

* Монтажные поверхности гладкие, плоские и смазанные

Примечание: описание и размеры корпуса см. На чертеже корпуса на последней странице этих технических данных.

THYRISTOR 5STP34N52 (3)


Sym

A

B

C

D

H

mm

150

100

108

3.5×3

35±1




Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора

изображение Продукта

  • 5200V BV сертифицированный тиристорный драйвер
  • 5200V BV сертифицированный тиристорный драйвер
Письмо этому поставщику
  • *Тема:
  • *Сообщений:
    Ваше сообщение должно быть в пределах 20-8000 символов
Общайтесь с поставщика?поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта