Все рассеянное Тиристорной структуры 1000А 1800В

    Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Срок поставки: 30 дней

Скачать:

Базовая информация

Модель: YZPST-KP1000A1800V

Additional Info

производительность: 100

марка: YZPST

транспорт: Ocean,Air

Место происхождения: Китай

Способность поставки: 500

Сертификаты : ISO9001-2008

Код ТН ВЭД: 85413000

Порт: SHANGHAI

Описание продукта

Фазовое Управление Тиристорами

YZPST-KP1000A1800V

Все рассеянное Тиристорной структуры 1000А 1800В простой структурой и сильной функции, он является одним из наиболее часто используемых полупроводниковых приборов.

Thyristor

Ratings

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V EQ \F(RSM,DSM)

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1900

V

V EQ \F(RRM,DRM)

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1800

V

VT

On-state voltage

IT=2200 A

TJ = 25°C

 

 

1.85

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

1000

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

2300

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

 

K/W

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

 

K/W

RthJK

thermal resistance junction to heatsink

 

 

 

 

0.024

K/W

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

12.1

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

732

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= ⅔VDRM

repetitive

 

 

200

A/µs

non-repet

 

 

400

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= ⅔VDRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

200

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

3.0

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

300

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

 

A

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

500

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

1.0

1.5

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD=⅔VDRM

TJ = 150°C

 

600

650

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-40

 

125

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

-40

 

125

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

19

 

29

kN

Габаритный Чертеж

Phase Control Thyristors YZPST-KP1000A1800V


Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора

изображение Продукта

  • Все рассеянное Тиристорной структуры 1000А 1800В
Письмо этому поставщику
  • *Тема:
  • *Сообщений:
    Ваше сообщение должно быть в пределах 20-8000 символов
Общайтесь с поставщика?поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта