YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводниковые дисковые устройства (тип капсулы)> Фазовый контроль Тиристор> Высокое напряжение Тиристорного управления 6500V kp1000A скл
Высокое напряжение Тиристорного управления 6500V kp1000A скл
Высокое напряжение Тиристорного управления 6500V kp1000A скл
Высокое напряжение Тиристорного управления 6500V kp1000A скл

Высокое напряжение Тиристорного управления 6500V kp1000A скл

Получите последнюю цену
Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Air
Порт:Shanghai
Атрибуты продукта

МодельYZPST-KP1000A6500V

маркаYZPST

Описание продукта

Фазового Управления Тиристорами

YZPST-KP1000A6500V

Фазового управления Тиристорами 6600V коротка для тиристорного выпрямителя. Это своего рода высокая мощность полупроводниковый прибор с четырьмя слоями из трех полупроводников, также называемые тиристорами.С характеристиками малого Тома, просто структуры и сильные функции, он является одним из наиболее часто используемых полупроводниковых приборов.

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

6600

V

V

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

6500

V

VT

On-state voltage

IT=1000 A

TJ = 25°C

 

 

2.95

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

1000

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

1140

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

22

K/KW

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

4

K/KW

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

9.7

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

470

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= 2/3VDRM

repetitive

 

 

50

A/µs

non-repet

 

 

1000

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= 2/3
V
DRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

2000

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

2.6

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

400

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

500

mA

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

900

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

 

3

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD= 2/3
V
DRM

TJ = 150°C

 

 

600

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-40

 

140

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

 

 

125

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

14

22

24

kN



Габаритный Чертеж

High Voltage Thyristor Control SCR kp1000A 6500V

Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить