Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Перечень Продуктов

Главная > Перечень Продуктов > Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора > Выдвиженческие высокие Тиристора питания для контроля фаз

Выдвиженческие высокие Тиристора питания для контроля фаз
Выдвиженческие высокие Тиристора питания для контроля фаз
Выдвиженческие высокие Тиристора питания для контроля фаз
Выдвиженческие высокие Тиристора питания для контроля фаз
Выдвиженческие высокие Тиристора питания для контроля фаз

Выдвиженческие высокие Тиристора питания для контроля фаз

Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Срок поставки: 30 дней
Скачать:

Базовая информация

    Модель: YZPST-R219CH12FN0

Additional Info

    производительность: 100

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 500

    Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

    Код ТН ВЭД: 85413000

    Порт: Shanghai

Описание продукта


Высокий мощный Тиристор для контроля фаз

YZPST-R219CH12FN0

Особенности:

.Гарантированное Максимальное Время Выключения

. Все Рассеянное Структуру

. Собранный Прибор Давления

.Гребенчатыми Усилительной Конфигурации Ворота

. Высокий потенциал дв/ДТ


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И РЕЙТИНГИ

Блокировки В Выключенном Состоянии


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

ВРРМ = повторяющееся пиковое обратное напряжение

ВДРМ = повторяющееся пиковое обратное напряжение

ВРСМ = не повторяющееся пиковое обратное напряжение (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec





Примечания:

Все номиналы указаны для TJ=25 оC, если не указано иное.

(1) Все номинальные напряжения указаны для применяемых

50Гц/60zHz синусоидального сигнала на

температурный диапазон от -40 до +125 оС.

(2) 10 мсек. Макс. Ширина импульса

(3) максимальное значение для TJ = 125 оС.

(4) минимальное значение для линейной и экспоненциальной формой волны до 80% номинального вЦУП. Открыть ворота. Тј = 125 оС.

(5) неповторяющееся значение.

(6) значение ди/ДТ устанавливается в соответствии с EIA/НИМА стандартом RS-397, раздел 5-2-2-6. Значение, определенное в дополнение к полученной резинотехнические цепи,содержащей 0.2 МФ конденсатор и 20 ohmsresistance параллельно с thristor тестируемого.

Проведение - на государство

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




Стробирования

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Динамические

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

10

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us


Детальные изображения



Phase Control Thyristor YZPST-R219CH12FN0

Группа Продуктов : Приборы Полупроводниковые Диски(Капсула Тип) > Фазовое Управление Тиристора

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1