| Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
|---|---|
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Срок поставки: | 30 дней |
Модель: YZPST-BTB08
сертификация: RoHS
производительность: 1000
марка: YZPST
транспорт: Ocean,Air
Место происхождения: Китай
Способность поставки: 10000
Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS
Код ТН ВЭД: 85413000
Порт: Shanghai
BTB08 Симисторы
YZPST-BTB08
Характеристика █
◆Третьем квадранте структура триггеров sensitine ,
Лучший матч для коммутирующая способность и чувствительность ворота .
Диффузия ◆и стекла пассивированы технологии.
Обеспечить надежность спецификация и однородность.
◆Соответствует спецификации ворот appropritate как высокого температурного режима.
Основное применение █
◆Стиральная машина пылесос диммер.дистанционный переключатель .
◆Переменного тока оборудования мотер и..
◆Коммутации индуктивной нагрузки.
█ План и pin массива
К-220
Значение ставки █ (если не показывает , и TJ=25℃)
|
Description |
symbol |
value |
unit |
|
Repetitive paek off-state voltage (Tj= −40 ~125℃) Half sine wave 50Hz, gate open
06-600
|
VDRM VRRM |
600 600 |
V |
|
Nominal RMS on-state current Full sine wave 50 Hz |
IT(RMS) |
8 |
A |
|
Non-repetitive peak surge current (junction temperature Tj =25℃) One cycle 50 Hz |
ITSM |
80 |
A |
|
Fuse current (t = 10 ms) |
I2t |
36 |
A2s |
|
Gate average power (TC =80℃, t = 10 ms) |
PG(AV) |
1 |
W |
|
Gate peak current (t≤2.0μs) |
IGM |
4 |
A |
|
Work junction temperature |
TJ |
-40~125 |
℃ |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
█ Тепловые характеристики
|
Description |
Symbol |
Max |
Unit |
|
Thermal resistance ( junction to arround ) |
Rj A |
75 |
°C/W |
█ Электрические характеристики (если не специальные показы ТДж=25℃)
|
Description |
Symbol |
Min |
Type |
Max |
Unit |
|
Repetitive paek off-state current (VD = Rated VDRM,VRRM gate open ) Tj = 125℃ |
IDRM, IRRM |
−
|
−
|
1
|
mA |
|
Peak on-state Voltage (IT =10A) |
VT |
− |
1.4 |
1.6 |
V |
|
Gate trigger current (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) 08-CW
MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) 08-BW
|
IGT |
− − −
− − −
|
− − −
− − −
|
35 35 35
50 50 50
|
mA |
|
Gate trigger voltage (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) All serises
|
VGT |
− − −
|
− − −
|
1.5 1.5 1.5
|
V |
|
Gate non-trigger voltage (VD = 12 V, RL =30Ω,Tj =125℃) All serises |
VGD |
0.2 |
− |
− |
V |
|
Hold current (Candution current IT=200mA) |
IH |
− |
− |
50 |
mA |
Группа Продуктов : Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Направления Би Тиристора (Симистора)
Mr. John chang
