Общайтесь с поставщика? поставщик
John chang Mr. John chang
Что я могу сделать для вас?
Чат Сейчас поставщик контакта

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

В-220P 16А приложений симистор BT139
В-220P 16А приложений симистор BT139
В-220P 16А приложений симистор BT139
В-220P 16А приложений симистор BT139

В-220P 16А приложений симистор BT139

Вид оплаты: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Срок поставки: 30 дней

Базовая информация

    Модель: YZPST-BT139

Additional Info

    производительность: 1000

    марка: YZPST

    транспорт: Ocean,Air

    Место происхождения: Китай

    Способность поставки: 10000

    Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS

    Порт: SHANGHAI

Описание продукта


Симистор YZPST-BD139


Общее описание

Предже симисторы в 220P пластиковый пакет. предназначен для использования в приложениях, требующих высокой двунаправленный переходных и блокирующих напряжениях

Пакет-220P

triac bt139 (6)


Main  Feature (Tj=25)

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

16

A

VDRM / VRRM

600

V

ITSM

140

A

Symbol

Parameter

Value

Unit

IT(RMS)

RMS on-state current(full sine wave)

16

A

ITSM

Non- repetitive Peak on-state

Current (full cycle,Tj=25,F=50Hz,tp=20ms)

140

A

I2t

I2t Value for fusing(tp=10ms)

98

A2S

IGM

Peak gate current

2

A

VGM

5

V

PGM

 

5

W

PG(AV)

Average gate power

0.5

W

di/dt

Repetitive rate of rise of on-state current after triggering
(IT=6A,IG=0.2A,dIG/dt=0.2A/μs)

--

50

A/μs

10

Tstg

Tj

Storage temperature

Operating junction temperature

-40--+150

-40--+125

Абсолютных оценок (предельные значения)

Thermai Сопротивлений

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Type

Max

Unit

Rth j-mb

 

Thermal Resisatance,Junction to mb

One cycle

Half cycle

--

--

--

--

4.0

1.7

K/W

K/W

Rth j-a

Thermal Resisatance,Junction to ambient

--

--

55

--

K/W

Электрические характеристики (Тј=25 , если не указано иное)

Symbol

Test Conditions

Min

Type

Max

Unit

 

IGT

    VD=12V  RL=30Ω

   T2+ G+

  T2+ G-

  T2- G-

 

--

--

--

 

10

15

20

 

10

25

25

 

mA

mA

mA

IH

VD=12V IGT=0.1A

 

6

50

mA

VTM

IT=20A

--

1.3

1.7

V

I DRM

V DRM=520V

 

 

20

μA

IRRM

VRRM=520V

 

 

20

μA

VGT

VD=12V  RL=30Ω

 

0.7

1.65

V

ID

VD=VDRM(MAX)

Tj=125

--

0.1

0.5

mA

Динамические характеристики (с TJ=25 , если не указано иное)

Symbol

Test  Conditions

Min

Type

Max

Unit

dVD/dt

VDM=67%VDm(MAX)

Tj=125,gate open

50

250

--

V/μs

dVCOM/dt

VDM=400V Tj=95

IT(RMS)=12A

dLCOM/dt=5.4A/ms,gate open

 

-

 

 

-

 

 

10

 

 

20

 

 

--

 

 

V/μs

 

triac bt139 (1)triac bt139 (2)triac bt139 (3)triac bt139 (4)triac bt139 (5)









Группа Продуктов : Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Направления Би Тиристора (Симистора)

Отправить Запрос

John chang

Mr. John chang

Электронная Почта:

info@yzpst.com

Отправить Запрос

Номер Телефона :86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Мобильный Телефон:+8613805278321Contact me with Whatsapp

Электронная Почта:info@yzpst.com

Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1