YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Главная> Перечень Продуктов> Полупроводник пластиковый пакет> Би -указания тиристор (триак)> Силиконовые герметики симистор BTB24 24amp транзисторов
Силиконовые герметики симистор BTB24 24amp транзисторов
Силиконовые герметики симистор BTB24 24amp транзисторов
Силиконовые герметики симистор BTB24 24amp транзисторов
Силиконовые герметики симистор BTB24 24amp транзисторов
Силиконовые герметики симистор BTB24 24amp транзисторов

Силиконовые герметики симистор BTB24 24amp транзисторов

Получите последнюю цену
Вид оплаты:L/C,T/T,Paypal
Инкотермс:FOB,CFR,CIF
транспорт:Ocean,Air
Порт:Shanghai
Атрибуты продукта

МодельYZPST-BTB24

маркаYZPST

Описание продукта

Симистор

YZPST-BTB24

Симистор существует три основных способа, чтобы исправить двунаправленный тиристор на радиатор: зажимать, скреплять болтами и клепкой.


Пакет

К-220AB

Основная Особенность(И TJ=25)

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

24

A

VDRM / VRRM

800

V

ITSM

240

A

BTB24 Triac 24amp Transistors

Symbol

Parameter

Value

Unit

IT(RMS)

Rms on-state current(full sine wave)

24

A

ITSM

Non- repetitive Peak on-state

Current (Tj=25℃,tp=20ms)

240

A

I2t

I2t  for fusing(tp=10ms)

200

A2S

IGM

Peak gate current

5

A

VGM

Peak gate voltage

16

V

PGM

Peak gate power

40

W

PG(AV)

Average gate power

1

W

dIT/dt

Repetitive rate of rise of on-state current after triggering
(IT=6A,IG=0.2A,dlG/dt=0.2A/us)

--

50

A/μs

IV

50

Tstg

Tj

Storage temperature

Operating junction temperature

-40--+150

-40--+125













*Thermai Сопротивлений


Symbol

Parameter

Condition


Type

Unit

Rth j-c

Thermal Resistance,Junction to case

One cycle

BTA

2.1

℃/W

BTB

1.2

℃/W

Rth j-a

Thermal Resisatance,Junction to ambient

----

--

60

℃/W

*Электрические характеристики(Тј=25℃, если не указано иное)

Symbol

Conditions

Type

Max

Unit

IGT

 

  BTB24

VD=12V  IT=0.1A

   T2+ G+

   T2+ G-

   T2- G-



11

15

20



18

30

30



mA

mA

mA

IH

VD=12V IGT=0.1A


50

mA

VTM

IT=24A

-1.25-

1.5

V

I DRM

V DRM=800V


10

μA

IRRM

VRRM=800V


15

μA

VGT

VD=12V  IT=0.1A

Tj=125℃

--


1.5

V

ID

VD=VDRM(MAX)

Tj=125℃

--

0.5

mA


*Динамические характеристики (Тј=25 , если не указано иное)

Symbol

Test Conditions

Type

Min

Max

Unit

dV/dt


VDM=67%VDm(MAX)

Tj=125℃

500


250



--



V/μs

(dV/dt)c

(dI/dt)c=7A/ms  Tj=125℃


--


10




μs

Triac YZPST-BTB24 Triac YZPST-BTB24
Горячие продукты
苏ICP备05018286号-1
Отправить Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить