Mr. John changЧто я могу сделать для вас?
Mr. John chang
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Перечень Продуктов
Главная > Перечень Продуктов > Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Направления Би Тиристора (Симистора) > Силиконовые герметики симистор BTB24 24amp транзисторов
PRODUCT CATEGORIES
| Вид оплаты: | L/C,T/T,Paypal |
|---|---|
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Срок поставки: | 30 дней |
Базовая информация
Модель: YZPST-BTB24
Additional Info
производительность: 1000
марка: YZPST
транспорт: Ocean,Air
Место происхождения: Китай
Способность поставки: 10000
Сертификаты : ISO9001-2008,ROHS
Код ТН ВЭД: 85413000
Порт: Shanghai
Описание продукта
Симистор
YZPST-BTB24
Симистор существует три основных способа, чтобы исправить двунаправленный тиристор на радиатор: зажимать, скреплять болтами и клепкой.
Пакет
К-220AB
●Основная Особенность(И TJ=25℃)
|
Symbol |
Value |
Unit |
|
IT(RMS) |
24 |
A |
|
VDRM / VRRM |
≥800 |
V |
|
ITSM |
240 |
A |
|
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
|
|
IT(RMS) |
Rms on-state current(full sine wave) |
24 |
A |
|
|
ITSM |
Non- repetitive Peak on-stateCurrent (Tj=25℃,tp=20ms) |
240 |
A |
|
|
I2t |
I2t for fusing(tp=10ms) |
200 |
A2S |
|
|
IGM |
Peak gate current |
5 |
A |
|
|
VGM |
Peak gate voltage |
16 |
V |
|
|
PGM |
Peak gate power |
40 |
W |
|
|
PG(AV) |
Average gate power |
1 |
W |
|
|
dIT/dt |
Repetitive rate of rise of on-state current after triggering(IT=6A,IG=0.2A,dlG/dt=0.2A/us) |
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ |
50 |
A/μs |
|
IV |
50 |
|||
|
Tstg Tj |
Storage temperature Operating junction temperature |
-40--+150 -40--+125 |
℃ |
|
*Thermai Сопротивлений
|
Symbol |
Parameter |
Condition |
|
Type |
Unit |
|
Rth j-c |
Thermal Resistance,Junction to case |
One cycle |
BTA |
2.1 |
℃/W |
|
BTB |
1.2 |
℃/W |
|||
|
Rth j-a |
Thermal Resisatance,Junction to ambient |
---- |
-- |
60 |
℃/W |
*Электрические характеристики(Тј=25℃, если не указано иное)
|
Symbol |
Conditions |
Type |
Max |
Unit |
|
IGT
|
BTB24 VD=12V IT=0.1A T2+ G+ T2+ G- T2- G- |
11 15 20 |
18 30 30 |
mA mA mA |
|
IH |
VD=12V IGT=0.1A |
|
50 |
mA |
|
VTM |
IT=24A |
-1.25- |
1.5 |
V |
|
I DRM |
V DRM=800V |
|
10 |
μA |
|
IRRM |
VRRM=800V |
|
15 |
μA |
|
VGT |
VD=12V IT=0.1A Tj=125℃ |
--
|
1.5 |
V |
|
ID |
VD=VDRM(MAX) Tj=125℃ |
-- |
0.5 |
mA |
*Динамические характеристики (Тј=25℃ , если не указано иное)
|
Symbol |
Test Conditions |
Type |
Min |
Max |
Unit |
|
dV/dt
|
VDM=67%VDm(MAX) Tj=125℃ |
500 |
250
|
--
|
V/μs |
|
(dV/dt)c |
(dI/dt)c=7A/ms Tj=125℃ |
-- |
10 |
|
μs |
Группа Продуктов : Полупроводниковые Пластиковый Пакет > Направления Би Тиристора (Симистора)
Отправить Запрос
Mr. John chang
Номер Телефона :86-514-87782298
Fax:86-514-87782297
Мобильный Телефон:+8613805278321
Электронная Почта:info@yzpst.com
Адрес Компании : 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu
